DN2470K4-G

更新时间： 2024-09-14 21:55:51

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超科 - SUPERTEX		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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2页	135K
描述
N-CHANNEL DEPLETION - MODE VERTICAL DMOS FET

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DN2470K4-G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-252AA
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	7.99	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	700 V
最大漏极电流 (ID)：	0.17 A	最大漏源导通电阻：	42 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	3	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	0.5 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

DN2470K4-G 数据手册

DN2470

Initial Release

N-Channel Depletion-Mode

Vertical DMOS FET

Features

General Description

This low threshold depletion-mode (normally-on)

transistor utilizes an advanced vertical DMOS

structure and Supertex's well-proven silicon-gate

manufacturing process. This combination produces a

device with the power handling capabilities of bipolar

transistors and with the high input impedance and

positive temperature coefficient inherent in MOS

devices. Characteristic of all MOS structures, this

device is free from thermal runaway and thermally-

induced secondary breakdown.

ꢀ

High input impedance

Low input capacitance

Fast switching speeds

Low on resistance

Free from secondary breakdown

Low input and output leakages

Application

ꢀ

Normally-on switches

Solid state relays

Battery operated systems

Converters

Linear amplifiers

Constant current sources

Telecom

Supertex's vertical DMOS FET is ideally suited to a

wide range of switching and amplifying applications

where very low threshold voltage, high breakdown

voltage, high input impedance, low input capacitance,

and fast switching speeds are desired.

Package Option

Absolute Maximum Ratings

Drain-to-Source Voltage

Drain-to-Gate Voltage

BV_DSX

BV_DGX

±20V

Gate-to-Source Voltage

Operating and Storage

Temperature

Soldering Temperature*

* Distance of 1.6mm from case for 10 seconds.

-55°C to +150°C

300°C

** “Green” Certified Package

Ordering Information

Order Number / Package

BV_DSX/ BV_DGX

R_DS(ON)(max)

I_DSS(typ)

TO-252

DN2470K4

DN2470K4-G **

700V

500mA

42Ω

NR011905

Rev. 1 011105

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DN2470K4-G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
DN2470K4	SUPERTEX	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 700V, 42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

与DN2470K4-G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DN2484	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| CHIP
DN2508A201K-01	VISHAY	获取价格	RESISTOR, TEMPERATURE DEPENDENT, NTC, 200 ohm
DN2508A201K-02	VISHAY	获取价格	RESISTOR, TEMPERATURE DEPENDENT, NTC, 200 ohm, THROUGH HOLE MOUNT
DN2508A201K-03	VISHAY	获取价格	RESISTOR, TEMPERATURE DEPENDENT, NTC, 200 ohm, THROUGH HOLE MOUNT
DN2508A201K-04	VISHAY	获取价格	RESISTOR, TEMPERATURE DEPENDENT, NTC, 200 ohm, THROUGH HOLE MOUNT
DN2508A201K-05	VISHAY	获取价格	RESISTOR, TEMPERATURE DEPENDENT, NTC, 200 ohm, THROUGH HOLE MOUNT
DN2508A201K-06	VISHAY	获取价格	RESISTOR, TEMPERATURE DEPENDENT, NTC, 200 ohm, THROUGH HOLE MOUNT
DN2508A201K-08	VISHAY	获取价格	RESISTOR, TEMPERATURE DEPENDENT, NTC, 200 ohm, THROUGH HOLE MOUNT
DN2508D200K-02	VISHAY	获取价格	RESISTOR, TEMPERATURE DEPENDENT, NTC, 20 ohm, THROUGH HOLE MOUNT
DN2508D200K-03	VISHAY	获取价格	RESISTOR, TEMPERATURE DEPENDENT, NTC, 20 ohm, THROUGH HOLE MOUNT

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