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DN2530N8-G

更新时间： 2024-01-29 02:06:43

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超科 - SUPERTEX		晶体晶体管开关
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6页	480K
描述
N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs

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DN2530N8-G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT-89
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	8.08	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	300 V
最大漏极电流 (ID)：	0.2 A	最大漏源导通电阻：	12 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	5 pF
JEDEC-95代码：	TO-243AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

DN2530N8-G 数据手册

DN2530

N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs

Features

General Description

The DN2530 is a low threshold depletion-mode (normally-on)

transistor utilizing an advanced vertical DMOS structure and

Supertex’s well-proven silicon-gate manufacturing process.

This combination produces a device with the power handling

capabilities of bipolar transistors and with the high input

impedance and positive temperature coefﬁcient inherent

in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this

device is free from thermal runaway and thermally-induced

secondary breakdown.

► High input impedance

► Low input capacitance

► Fast switching speeds

► Low on resistance

► Free from secondary breakdown

► Low input and output leakage

Applications

Supertex’s vertical DMOS FETs are ideally suited to a

wide range of switching and amplifying applications where

high breakdown voltage, high input impedance, low input

capacitance, and fast switching speeds are desired.

► Normally-on switches

► Solid state relays

► Converters

► Linear ampliﬁers

► Constant current sources

► Power supply circuits

► Telecom

Ordering Information

Package Options

BV_DSX

R_DS(ON)

(max)

I_DSS

TO-243AA¹

TO-92

BV_DGX

(min)

DN2530N8

DN2530N3

DN2530N3-G

300V

12Ω

200mA

DN2530N8-G

-G indicates package is RoHS compliant (‘Green’)

¹Same as SOT-89. Products shipped on 2000 piece carrier tape reels.

Pin Conﬁgurations

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Value

BV_DSX

BV_DGX

20V

Drain-to-source voltage

Drain-to-gate voltage

Gate-to-source voltage

Operating and storage

temperature

-55^OC to +150^OC

Soldering temperature*

300^OC

S G D

Absolute Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device

may occur. Functional operation under these conditions is not implied. Continuous

operation of the device at the absolute rating level may affect device reliability. All

voltages are referenced to device ground.

TO-92

TO-243AA

(front view)

(top view)

*Distance of 1.6mm from case for 10 seconds.

12 3 4 5 6

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与DN2530N8-G相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
DN2530ND	MICROCHIP	N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET	获取价格
DN2535	SUPERTEX	N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs	获取价格
DN2535	MICROCHIP	DN2535 is a low threshold depletion mode (normally-on) transistor utilizing an advanced ve	获取价格
DN2535_07	SUPERTEX	N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs	获取价格
DN2535_13	SUPERTEX	N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs	获取价格
DN2535N3	SUPERTEX	N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs	获取价格

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