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DMP2004VK-7

更新时间： 2024-11-18 09:54:15
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管场效应晶体管
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5页 141K
描述
DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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DMP2004VK-7 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：16 weeks
风险等级：1.58其他特性：ESD PROTECTION, LOW THRESHOLD
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.53 A最大漏极电流 (ID)：0.53 A
最大漏源导通电阻：0.9 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：20 pFJESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.4 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

DMP2004VK-7 数据手册

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DMP2004VK  
DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR  
Features  
Mechanical Data  
•
•
•
•
•
•
•
•
•
Dual P-Channel MOSFET  
Low On-Resistance  
•
•
Case: SOT-563  
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding Compound.  
UL Flammability Classification Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020  
Terminal Connections: See Diagram  
Terminals: Finish - Matte Tin annealed over Copper lead frame.  
Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Marking Information: See Page 3  
Ordering Information: See Page 3  
Weight: 0.006 grams (approximate)  
Very Low Gate Threshold Voltage VGS(TH) <1V  
Low Input Capacitance  
Fast Switching Speed  
Low Input/Output Leakage  
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2)  
ESD Protected Gate  
•
•
•
•
•
•
"Green" Device (Note 3)  
SOT-563  
G1  
S1  
D2  
G2  
S2  
D1  
ESD protected  
TOP VIEW  
BOTTOM VIEW  
TOP VIEW  
Internal Schematic  
Maximum Ratings @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Drain-Source Voltage  
Symbol  
Value  
-20  
Units  
V
VDSS  
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
±8  
V
-530  
-1.8  
mA  
A
Continuous Drain Current (Note 1) VGS = -4.5V  
Pulsed Drain Current  
IDM  
Thermal Characteristics @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Total Power Dissipation (Note 1)  
Symbol  
Value  
400  
Units  
mW  
°C/W  
°C  
PD  
Thermal Resistance, Junction to Ambient, Note 1  
Operating and Storage Temperature Range  
312.5  
Rθ  
JA  
-65 to +150  
TJ, TSTG  
Electrical Characteristics @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS (Note 4)  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test Condition  
-20  
⎯
⎯
V
BVDSS  
IDSS  
⎯
⎯
⎯
⎯
-1.0  
VGS = 0V, ID = -250mA  
VDS = -20V, VGS = 0V  
VGS = ±4.5V, VDS = 0V  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Gate-Source Leakage  
μA  
μA  
IGSS  
±1.0  
ON CHARACTERISTICS (Note 4)  
Gate Threshold Voltage  
-0.5  
-1.0  
V
VGS(th)  
⎯
VDS = VGS, ID = -250μA  
V
GS = -4.5V, ID = -430mA  
0.7  
1.1  
1.7  
0.9  
1.4  
2.0  
Static Drain-Source On-Resistance  
RDS (ON)  
⎯
Ω
VGS = -2.5V, ID = -300mA  
VGS = -1.8V, ID = -150mA  
VDS = -10V, ID = -0.2A  
VGS = 0V, IS = 115mA  
Forward Transfer Admittance  
Diode Forward Voltage (Note 4)  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Input Capacitance  
200  
-0.5  
mS  
V
|Yfs|  
VSD  
⎯
⎯
⎯
-1.2  
175  
30  
pF  
pF  
pF  
Ciss  
Coss  
Crss  
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
V
DS = -16V, VGS = 0V  
Output Capacitance  
f = 1.0MHz  
Reverse Transfer Capacitance  
20  
Notes:  
1. Device mounted on FR-4 PCB.  
2. No purposefully added lead.  
3. Diodes Inc.’s “Green” policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
4. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.  
1 of 5  
www.diodes.com  
June 2010  
© Diodes Incorporated  
DMP2004VK  
Document number: DS30916 Rev. 4 - 2  
12345

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