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DMP2007UFG-13

更新时间： 2024-02-29 00:54:47
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 437K
描述
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 20V, 0.007ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

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DMP2007UFG-13 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：17 weeks
风险等级：5.66雪崩能效等级（Eas）：50 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：18 A
最大漏源导通电阻：0.007 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-PDSO-N5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

DMP2007UFG-13 数据手册

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DMP2007UFG  
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET  
POWERDI®  
Product Summary  
Features  
Low RDS(ON) – ensures on state losses are minimized  
Small form factor thermally efficient package enables higher  
density end products  
ID max  
V(BR)DSS  
RDS(ON) max  
TC = +25°C  
-40A  
-40A  
-40A  
5.5mΩ @ VGS = -10V  
7.0mΩ @ VGS = -4.5V  
9.0mΩ @ VGS = -2.5V  
Occupies just 33% of the board area occupied by SO-8 enabling  
smaller end product  
-20V  
Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  
Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  
Description  
Mechanical Data  
®
Case: POWERDI 3333-8  
This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance  
(RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it  
ideal for high- efficiency power management applications.  
Case Material: Molded Plastic, "Green" Molding Compound.  
UL Flammability Classification Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020  
Terminal Connections Indicator: See Diagram  
Terminals: Finish Matte Tin Annealed over Copper Leadframe.  
Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Weight: 0.030 grams (Approximate)  
Applications  
Load Switch  
Power Management Functions  
®
POWERDI 3333-8  
D
Pin 1  
S
S
S
G
G
D
D
D
D
S
Top View  
Bottom View  
Equivalent Circuit  
Ordering Information (Note 4)  
Part Number  
DMP2007UFG-7  
DMP2007UFG-13  
Case  
POWERDI3333-8  
POWERDI3333-8  
Packaging  
2,000/Tape & Reel  
3,000/Tape & Reel  
Notes:  
1. No purposely added lead. Fully EU Directive 2002/95/EC (RoHS) & 2011/65/EU (RoHS 2) compliant.  
2. See http://www.diodes.com/quality/lead_free.html for more information about Diodes Incorporated’s definitions of Halogen- and Antimony-free, "Green"  
and Lead-free.  
3. Halogen- and Antimony-free "Green” products are defined as those which contain <900ppm bromine, <900ppm chlorine (<1500ppm total Br + Cl) and  
<1000ppm antimony compounds.  
4. For packaging details, go to our website at http://www.diodes.com/products/packages.html.  
Marking Information  
S43 = Product Type Marking Code  
YYWW = Date Code Marking  
YY = Last Digit of Year (ex: 14 = 2014)  
WW = Week Code (01 ~ 53)  
S43  
POWERDI is a registered trademark of Diodes Incorporated  
1 of 7  
www.diodes.com  
October 2015  
© Diodes Incorporated  
DMP2007UFG  
Document number: DS37943 Rev. 3 - 2  
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DMP2007UFG-13 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
DMP2007UFG-7 DIODES

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 		Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 20V, 0.007ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
DMP2008UFG DIODES

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 		Qualified to AEC-Q101 standards for High Reliability
DMP2008UFG_15 DIODES

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 		20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI
DMP2008UFG-13 DIODES

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 		20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI
DMP2008UFG-7 DIODES

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 		Power Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
DMP2008USS DIODES

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 		20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMP2010UFG DIODES

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 		20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
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