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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> DMP2012SN-7
DMP2012SN-7 PDF预览

DMP2012SN-7

更新时间： 2024-11-18 02:57:39
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 205K
描述
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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DMP2012SN-7 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-59
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：16 weeks风险等级：5.72
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.7 A最大漏极电流 (ID)：0.7 A
最大漏源导通电阻：0.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

DMP2012SN-7 数据手册

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SPICE MODEL: DMP2012SN  
DMP2012SN  
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR  
Features  
•
•
•
•
•
•
•
•
Low On-Resistance  
Low Gate Threshold Voltage  
Low Input Capacitance  
Fast Switching Speed  
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2)  
ESD Protected Gate  
"Green" Device (Note 4)  
A
SC-59  
D
Dim  
A
B
C
D
E
Min  
0.30  
1.40  
2.50  
0.85  
0.30  
1.70  
2.70  
⎯
Max  
0.50  
1.80  
3.00  
1.05  
0.70  
2.10  
3.10  
0.10  
1.40  
0.70  
0.35  
8°  
B
C
TOP VIEW  
G
S
D
G
E
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability  
H
Mechanical Data  
•
•
K
M
J
Case: SC-59  
G
H
J
L
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding  
Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0  
Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Terminals: Finish – Matte Tin annealed over Copper  
leadframe. Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Terminal Connections: See Diagram  
Marking: See Last Page  
Ordering & Date Code Information: See Last Page  
Weight: 0.008 grams (approximate)  
Drain  
•
•
K
L
1.00  
0.55  
0.10  
0°  
•
•
•
•
Gate  
M
α
Gate  
Protection  
Diode  
All Dimensions in mm  
Source  
EQUIVALENT CIRCUIT  
ESD protected  
Maximum Ratings @T = 25°C unless otherwise specified  
A
Characteristic  
Drain-Source Voltage  
Symbol  
Value  
-20  
Unit  
V
V
DSS  
V
GSS  
Gate-Source Voltage  
V
±12  
Drain Current (Note 1) Steady State  
Pulsed Drain Current (Note 3)  
-0.7  
A
I
D
-2.8  
A
I
DM  
Total Power Dissipation (Note 1)  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Operating and Storage Temperature Range  
500  
mW  
°C/W  
°C  
P
d
250  
R
θJA  
-65 to +150  
T , T  
j
STG  
Notes:  
1. Device mounted on FR-4 PCB.  
2. No purposefully added lead.  
3. Pulse width ≤10μS, Duty Cycle ≤1%.  
4. Diodes Inc.'s "Green" policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
DS30790 Rev. 2 - 2  
1 of 4  
DMP2012SN  
© Diodes Incorporated  
www.diodes.com  
1234

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