是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 23 weeks |
风险等级: | 5.7 | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 4.2 A |
最大漏极电流 (ID): | 4.2 A | 最大漏源导通电阻: | 0.065 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 63 pF |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G6 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 6 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 1.7 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 10 A | 参考标准: | AEC-Q101 |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DMP2033UVT-7 | DIODES |
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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMP2035U | DIODES |
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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMP2035U | TYSEMI |
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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Low Input/Output Leakage | |
DMP2035U-7 | TYSEMI |
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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Low Input/Output Leakage | |
DMP2035U-7 | DIODES |
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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMP2035UFCL | DIODES |
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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMP2035UFCL-7 | DIODES |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal | |
DMP2035UFDF | DIODES |
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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMP2035UFDF-13 | DIODES |
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Small Signal Field-Effect Transistor, | |
DMP2035UFDF-7 | DIODES |
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Small Signal Field-Effect Transistor, |