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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> DMP2035U-7
DMP2035U-7 PDF预览

DMP2035U-7

更新时间： 2024-11-18 06:54:15
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
6页 241K
描述
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DMP2035U-7 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：1.56Samacsys Confidence：4
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：441083
Samacsys Pin Count：3Samacsys Part Category：MOSFET (P-Channel)
Samacsys Package Category：SOT23 (3-Pin)Samacsys Footprint Name：SOT23
Samacsys Released Date：2017-11-29 23:52:06Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.6 A
最大漏极电流 (ID)：3.6 A最大漏源导通电阻：0.045 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.81 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

DMP2035U-7 数据手册

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DMP2035U  
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET  
Please click here to visit our online spice models database.  
Features  
Mechanical Data  
•
•
•
•
•
•
•
•
Low On-Resistance  
Low Input Capacitance  
Fast Switching Speed  
Low Input/Output Leakage  
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1)  
ESD Protected Up To 3KV  
"Green" Device (Note 2)  
•
•
Case: SOT-23  
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding Compound.  
UL Flammability Classification Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D  
Terminal Connections: See Diagram Below  
Marking Information: See Page 4  
•
•
•
•
•
Ordering Information: See Page 4  
Weight: 0.008 grams (approximate)  
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability  
Drain  
D
Gate  
Gate  
Protection  
Diode  
Source  
S
G
Internal Schematic  
TOP VIEW  
ESD PROTECTED TO 3kV  
TOP VIEW  
Maximum Ratings @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Drain-Source Voltage  
Symbol  
VDSS  
Value  
-20  
Unit  
V
±8  
Gate-Source Voltage  
V
VGSS  
TA = 25°C  
TA = 70°C  
Steady  
State  
-3.6  
-2.9  
Continuous Drain Current (Note 3)  
Pulsed Drain Current (Note 4)  
A
A
ID  
-24  
IDM  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
Power Dissipation (Note 3)  
0.81  
W
PD  
153.5  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient @TA = 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
RθJA  
-55 to +150  
TJ, TSTG  
Notes:  
1. No purposefully added lead.  
2. Diodes Inc.'s "Green" policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
3. Device mounted on FR-4 PCB with 2 oz. Copper and test pulse width t 
أ
10s.  
4. Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature.  
1 of 6  
www.diodes.com  
May 2009  
© Diodes Incorporated  
DMP2035U  
Document number: DS31830 Rev. 1 - 2  
123456

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