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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> DMN5L06DW-7
DMN5L06DW-7 PDF预览

DMN5L06DW-7

更新时间： 2024-09-23 03:30:07
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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5页 137K
描述
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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DMN5L06DW-7 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：GREEN, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.59其他特性：LOW CAPACITANCE
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.28 A最大漏极电流 (ID)：0.28 A
最大漏源导通电阻：3 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：5 pFJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

DMN5L06DW-7 数据手册

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DMN5L06DW  
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT  
MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR  
Lead-free Green  
Features  
·
·
·
·
·
·
·
·
·
Dual N-Channel MOSFET  
Low On-Resistance  
SOT-363  
Very Low Gate Threshold Voltage  
Low Input Capacitance  
Dim  
A
Min  
0.10  
1.15  
2.00  
Max  
0.30  
1.35  
2.20  
A
D2  
G1  
S1  
Fast Switching Speed  
B
Low Input/Output Leakage  
C
B
C
Ultra-Small Surface Mount Package  
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2)  
“Green” Device (Note 3)  
D
0.65 Nominal  
D1  
S2  
G2  
F
0.30  
1.80  
¾
0.±0  
2.20  
0.10  
1.00  
0.±0  
0.25  
8°  
G
H
H
J
K
J
M
Mechanical Data  
K
0.90  
0.25  
0.10  
0°  
·
·
Case: SOT-363  
L
L
D
F
Case Material: Molded Plastic, "Green" Molding  
M
Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0  
a
·
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Terminals Connections: See Diagram  
All Dimensions in mm  
Terminals: Finish ¾ Matte Tin annealed over Alloy 42  
D2  
G1  
S1  
leadframe. Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
·
·
·
Marking: Date Code and Type Code, See Page 2  
Ordering & Date Code Information: See Page 2  
Weight: 0.006 grams (approximate)  
S2  
G2  
D1  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
VDSS  
Value  
50  
Units  
V
V
Drain-Source Voltage  
VDGR  
50  
Drain-Gate Voltage RGS £ 1.0MW  
Gate-Source Voltage  
Continuous  
Pulsed  
±20  
±±0  
VGSS  
V
ID  
IDM  
280  
1.5  
mA  
A
Drain Current (Note 1)  
Continuous  
Pulsed  
Drain Current (Note 1)  
Pd  
Total Power Dissipation (Note 1)  
200  
833  
mW  
°C/W  
°C  
RqJA  
Tj, TSTG  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
Notes: 1. Device mounted on FR-± PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout  
document AP02001, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. No purposefully added lead.  
3. Diodes Inc’s “Green” policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
DS30751 Rev. 1 - 2  
1 of 5  
DMN5L06DW  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
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