5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> DMN5L06V-7
DMN5L06V-7 PDF预览

DMN5L06V-7

更新时间： 2024-11-19 02:51:11
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 129K
描述
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

DMN5L06V-7 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：GREEN, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.57Is Samacsys：N
其他特性：LOW CAPACITANCE配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：50 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.28 A
最大漏极电流 (ID)：0.28 A最大漏源导通电阻：3 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：5 pF
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

DMN5L06V-7 数据手册

 浏览型号DMN5L06V-7的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DMN5L06V-7的Datasheet PDF文件第3页浏览型号DMN5L06V-7的Datasheet PDF文件第4页 
DMN5L06V/VA  
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT  
MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR  
Lead-free Green  
Features  
·
·
·
·
·
·
·
·
·
Dual N-Channel MOSFET  
Low On-Resistance  
SOT-563  
Very Low Gate Threshold Voltage  
Low Input Capacitance  
Dim Min  
Max  
0.30  
1.25  
1.70  
0.50  
1.10  
1.70  
0.60  
0.30  
0.18  
Typ  
0.25  
1.20  
1.60  
A
A
B
C
D
G
H
K
L
0.15  
1.10  
1.55  
Fast Switching Speed  
Low Input/Output Leakage  
B
C
Ultra-Small Surface Mount Package  
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2)  
“Green” Device (Note 3)  
0.90  
1.50  
0.56  
0.10  
0.10  
1.00  
1.60  
0.60  
0.20  
¾
D
G
H
Mechanical Data  
M
K
·
·
Case: SOT-563  
M
Case Material: Molded Plastic, "Green" Molding  
All Dimensions in mm  
Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0  
L
·
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Terminals Connections: See Diagram  
D2  
S1  
G1  
D2  
G1  
S1  
Terminals: Finish ¾ Matte Tin annealed over Copper  
leadframe. Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
·
·
·
Marking: Date Code and Type Code, See Page 2  
Ordering & Date Code Information: See Page 2  
Weight: 0.006 grams (approximate)  
G2  
S2  
D1  
S2  
G2  
D1  
DMN5L06VA  
(KAG Type Code)  
DMN5L06V  
(KAH Type Code)  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Symbol  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Value  
50  
Units  
VDSS  
VDGR  
V
V
Drain-Source Voltage  
50  
Drain-Gate Voltage RGS £ 1.0MW  
Gate-Source Voltage  
Continuous  
Pulsed  
20  
40  
VGSS  
V
ID  
IDM  
280  
1.5  
mA  
A
Drain Current (Note 1)  
Continuous  
Pulsed  
Drain Current (Note 1)  
Pd  
Total Power Dissipation (Note 1)  
150  
833  
mW  
°C/W  
°C  
RqJA  
Tj, TSTG  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
Notes: 1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout  
document AP02001, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. No purposefully added lead.  
3. Diodes Inc’s “Green” policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
DS30604 Rev. 7 - 2  
1 of 4  
DMN5L06V/VA  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
1234

中文翻译

下载PDF

DMN5L06V-7 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
DMN5L06VA-7 DIODES

完全替代

 DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMN5L06VK-7 DIODES

类似代替

 DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMN5L06VAK-7 DIODES

功能相似

 DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

与DMN5L06V-7相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DMN5L06VA DIODES

获取价格

 		DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMN5L06VA-7 DIODES

获取价格

 		DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMN5L06VAK DIODES

获取价格

 		DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMN5L06VAK-13 DIODES

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.28A I(D), 50V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
DMN5L06VAK-7 DIODES

获取价格

 		DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMN5L06VAK-7A DIODES

获取价格

 		暂无描述
DMN5L06VK DIODES

获取价格

 		DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMN5L06VK-13 DIODES

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.28A I(D), 50V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
DMN5L06VK-7 DIODES

获取价格

 		DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMN5L06VK-7A DIODES

获取价格

 		暂无描述

与DMN5L06V-7相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证