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DMN5L06K-7

更新时间： 2024-09-23 03:30:07
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美台 - DIODES 晶体晶体管
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5页 134K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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DMN5L06K-7 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：18 weeks
风险等级：0.75其他特性：ESD PROTECTION, HIGH RELIABILITY, LOW THRESHOLD
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.3 A最大漏极电流 (ID)：0.3 A
最大漏源导通电阻：3 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：5 pFJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

DMN5L06K-7 数据手册

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SPICE MODEL: DMN5L06K  
DMN5L06K  
Lead-free Green  
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT  
TRANSISTOR  
Features  
·
·
·
·
·
·
·
·
·
Low On-Resistance: RDS(ON)  
SOT-23  
Very Low Gate Threshold Voltage  
Low Input Capacitance  
A
Dim  
A
Min  
0.37  
1.20  
2.30  
0.89  
0.45  
1.78  
2.80  
0.013  
0.903  
0.45  
0.085  
0°  
Max  
0.51  
1.40  
2.50  
1.03  
0.60  
2.05  
3.00  
0.10  
1.10  
0.61  
0.180  
8°  
D
Fast Switching Speed  
B
C
B
Low Input/Output Leakage  
TOP VIEW  
C
G
S
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2)  
ESD Protected Up To 2kV  
D
G
E
D
"Green" Device (Note 4)  
H
E
Qualified to AEC-Q101 standards for High Reliability  
G
H
K
M
J
L
J
Mechanical Data  
·
K
Case: SOT-23  
Drain  
L
·
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding  
Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0  
M
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
a
Terminals: Finish ¾ Matte Tin annealed over Alloy 42  
leadframe. Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
All Dimensions in mm  
Gate  
·
·
·
·
Terminal Connections: See Diagram  
Marking: See Last Page  
ESD protected up to 2kV  
Gate  
Protection  
Diode  
Source  
Ordering & Date Code Information: See Last Page  
Weight: 0.008 grams (approximate)  
EQUIVALENT CIRCUIT  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Maximum Ratings  
Symbol  
VDSS  
Value  
50  
20  
Units  
V
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current (Note 1)  
VGSS  
300  
800  
Continuous  
Pulsed (Note 3)  
ID  
mA  
Pd  
Total Power Dissipation (Note 1)  
350  
357  
mW  
RqJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Operating and Storage Temperature Range  
°C/W  
Tj, TSTG  
-65 to +150  
°C  
Note:  
1. Device mounted on FR-4 PCB.  
2. No purposefully added lead.  
3. Pulse width £10mS, Duty Cycle £1%.  
4. Diodes Inc.'s "Green" policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
DS30929 Rev. 2 - 2  
1 of 5  
DMN5L06K  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
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DMN5L06K-7 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
DMN5L06-7 DIODES

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DMN5L06K-7-F TYSEMI

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 		Product specification
DMN5L06KQ-7 DIODES

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 		null
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