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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> DMN5L06VAK-7
DMN5L06VAK-7 PDF预览

DMN5L06VAK-7

更新时间： 2024-11-23 03:20:43
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 158K
描述
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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DMN5L06VAK-7 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：19 weeks
风险等级：2.11Is Samacsys：N
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.28 A最大漏极电流 (ID)：0.28 A
最大漏源导通电阻：3 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：5 pFJESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.25 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

DMN5L06VAK-7 数据手册

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SPICE MODEL: DMN5L06VK DMN5L06VAK  
DMN5L06VK/VAK  
Lead-free Green  
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT  
MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR  
Features  
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
Dual N-Channel MOSFET  
SOT-563  
Low On-Resistance  
Dim Min  
Max  
0.30  
1.25  
1.70  
0.50  
1.10  
1.70  
0.60  
0.30  
0.18  
Typ  
0.25  
1.20  
1.60  
A
Very Low Gate Threshold Voltage  
Low Input Capacitance  
A
B
C
D
G
H
K
L
0.15  
1.10  
1.55  
Fast Switching Speed  
B
C
Low Input/Output Leakage  
Ultra-Small Surface Mount Package  
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2)  
“Green” Device (Note 3)  
D
0.90  
1.50  
0.56  
0.10  
0.10  
1.00  
1.60  
0.60  
0.20  
¾
G
H
ESD Protected Up To 2kV  
M
Mechanical Data  
K
M
·
·
Case: SOT-563  
All Dimensions in mm  
L
Case Material: Molded Plastic, "Green" Molding  
Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0  
·
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Terminals Connections: See Diagram  
D2  
G1  
S1  
D2  
G1  
S1  
Terminals: Finish ¾ Matte Tin annealed over  
Copper leadframe. Solderable per MIL-STD-202,  
Method 208  
·
·
·
Marking: Date Code and Type Code, See Page 2  
Ordering & Date Code Information: See Page 2  
Weight: 0.006 grams (approximate)  
G2  
S2  
D1  
S2  
G2  
D1  
ESD protected up to 2kV  
DMN5L06VAK  
(KAE Type Code)  
DMN5L06VK  
(KAB Type Code)  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
VDSS  
Value  
50  
Units  
V
V
Drain-Source Voltage  
VDGR  
50  
Drain-Gate Voltage RGS £ 1.0MW  
Gate-Source Voltage  
Continuous  
Pulsed  
±20  
±40  
VGSS  
V
ID  
IDM  
280  
1.5  
mA  
A
Drain Current (Note 1)  
Continuous  
Pulsed  
Drain Current (Note 1)  
Pd  
Total Power Dissipation (Note 1)  
150  
mW  
°C/W  
°C  
RqJA  
Tj, TSTG  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
833  
-55 to +150  
Notes: 1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout  
document AP02001, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. No purposefully added lead.  
3. Diodes Inc’s “Green” policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
DS30769 Rev. 2 - 2  
1 of 5  
DMN5L06VK/VAK  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
12345

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