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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> DMN5L06TK-7
DMN5L06TK-7 PDF预览

DMN5L06TK-7

更新时间： 2024-11-29 09:54:15
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 161K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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DMN5L06TK-7 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：14 weeks
风险等级：1.53其他特性：HIGH RELIABILITY
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.28 A最大漏极电流 (ID)：0.28 A
最大漏源导通电阻：3 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：5 pFJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.15 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

DMN5L06TK-7 数据手册

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DMN5L06TK  
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR  
Please click here to visit our online spice models database.  
Features  
Mechanical Data  
•
•
•
•
•
•
•
•
•
Low On-Resistance  
Very Low Gate Threshold Voltage  
Low Input Capacitance  
Fast Switching Speed  
Low Input/Output Leakage  
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2)  
ESD Protected Up To 2kV  
"Green" Device (Note 3)  
•
•
Case: SOT-523  
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding Compound.  
UL Flammability Classification Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D  
Terminals: Finish – Matte Tin annealed over Alloy 42  
leadframe. Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Terminal Connections: See Diagram  
Marking Information: See Page 3  
Ordering Information: See Page 3  
•
•
•
•
•
•
Qualified to AEC-Q101 standards for High Reliability  
Weight: 0.002 grams (approximate)  
Drain  
SOT-523  
D
Gate  
Gate  
Protection  
Diode  
G
S
TOP VIEW  
ESD PROTECTED, 2kV  
Source  
TOP VIEW  
Equivalent circuit  
Maximum Ratings @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Drain Source Voltage  
Symbol  
Value  
50  
Units  
V
VDSS  
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
V
±20  
280  
Drain Current (Note 1)  
Continuous  
mA  
Thermal Characteristics @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Total Power Dissipation (Note 1)  
Symbol  
PD  
Rθ  
Value  
150  
Units  
mW  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Operating and Storage Temperature Range  
833  
°C/W  
°C  
JA  
-55 to +150  
TJ, TSTG  
Electrical Characteristics @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS (Note 4)  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test Condition  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
50  
V
BVDSS  
IDSS  
⎯
⎯
⎯
60  
VGS = 0V, ID = 10μA  
VDS = 50V, VGS = 0V  
nA  
@ TC = 25°C  
⎯
V
GS = ±12V, VDS = 0V  
VGS = ±10V, VDS = 0V  
GS = ±5V, VDS = 0V  
1
500  
50  
μA  
nA  
nA  
Gate-Body Leakage  
IGSS  
⎯
⎯
V
ON CHARACTERISTICS (Note 4)  
Gate Threshold Voltage  
0.49  
1.2  
V
VGS(th)  
⎯
VDS = VGS, ID = 250μA  
GS = 1.8V, ID = 50mA  
VGS = 2.5V, ID = 50mA  
GS = 5.0V, ID = 50mA  
V
⎯
⎯
⎯
1.8  
1.5  
1.2  
3.0  
2.5  
2.0  
Static Drain-Source On-Resistance  
RDS (ON)  
Ω
V
On-State Drain Current  
0.5  
200  
0.5  
1.4  
⎯
⎯
A
mS  
V
ID(ON)  
|Yfs|  
⎯
⎯
1.4  
VGS = 10V, VDS = 7.5V  
VDS =10V, ID = 0.2A  
VGS = 0V, IS = 115mA  
Forward Transconductance  
Source-Drain Diode Forward Voltage  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Input Capacitance  
VSD  
50  
25  
pF  
pF  
pF  
Ciss  
Coss  
Crss  
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
V
DS = 25V, VGS = 0V  
Output Capacitance  
f = 1.0MHz  
Reverse Transfer Capacitance  
5.0  
Notes:  
1. Device mounted on FR-4 PCB.  
2. No purposefully added lead.  
3. Diodes Inc.’s “Green” policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
4. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.  
1 of 4  
www.diodes.com  
March 2009  
© Diodes Incorporated  
DMN5L06TK  
Document number: DS30926 Rev. 4 - 2  
1234

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DMN5L06TK-7 替代型号

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