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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> DMN5L06VA-7
DMN5L06VA-7 PDF预览

DMN5L06VA-7

更新时间： 2024-02-07 04:24:06
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 129K
描述
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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DMN5L06VA-7 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：GREEN, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.58Is Samacsys：N
其他特性：LOW CAPACITANCE配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：50 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.28 A
最大漏极电流 (ID)：0.28 A最大漏源导通电阻：3 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：5 pF
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

DMN5L06VA-7 数据手册

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DMN5L06V/VA  
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT  
MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR  
Lead-free Green  
Features  
·
·
·
·
·
·
·
·
·
Dual N-Channel MOSFET  
Low On-Resistance  
SOT-563  
Very Low Gate Threshold Voltage  
Low Input Capacitance  
Dim Min  
Max  
0.30  
1.25  
1.70  
0.50  
1.10  
1.70  
0.60  
0.30  
0.18  
Typ  
0.25  
1.20  
1.60  
A
A
B
C
D
G
H
K
L
0.15  
1.10  
1.55  
Fast Switching Speed  
Low Input/Output Leakage  
B
C
Ultra-Small Surface Mount Package  
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2)  
“Green” Device (Note 3)  
0.90  
1.50  
0.56  
0.10  
0.10  
1.00  
1.60  
0.60  
0.20  
¾
D
G
H
Mechanical Data  
M
K
·
·
Case: SOT-563  
M
Case Material: Molded Plastic, "Green" Molding  
All Dimensions in mm  
Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0  
L
·
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Terminals Connections: See Diagram  
D2  
S1  
G1  
D2  
G1  
S1  
Terminals: Finish ¾ Matte Tin annealed over Copper  
leadframe. Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
·
·
·
Marking: Date Code and Type Code, See Page 2  
Ordering & Date Code Information: See Page 2  
Weight: 0.006 grams (approximate)  
G2  
S2  
D1  
S2  
G2  
D1  
DMN5L06VA  
(KAG Type Code)  
DMN5L06V  
(KAH Type Code)  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Symbol  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Value  
50  
Units  
VDSS  
VDGR  
V
V
Drain-Source Voltage  
50  
Drain-Gate Voltage RGS £ 1.0MW  
Gate-Source Voltage  
Continuous  
Pulsed  
20  
40  
VGSS  
V
ID  
IDM  
280  
1.5  
mA  
A
Drain Current (Note 1)  
Continuous  
Pulsed  
Drain Current (Note 1)  
Pd  
Total Power Dissipation (Note 1)  
150  
833  
mW  
°C/W  
°C  
RqJA  
Tj, TSTG  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
Notes: 1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout  
document AP02001, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. No purposefully added lead.  
3. Diodes Inc’s “Green” policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
DS30604 Rev. 7 - 2  
1 of 4  
DMN5L06V/VA  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
1234

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DMN5L06VA-7 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
DMN5L06V-7 DIODES

完全替代

 DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMN5L06VK-7 DIODES

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 DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
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