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DMN5L06WK-7

更新时间： 2024-11-07 03:06:55
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 134K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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DMN5L06WK-7 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：16 weeks
风险等级：1.52其他特性：HIGH RELIABILITY, FAST SWITCHING
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.3 A最大漏极电流 (ID)：0.3 A
最大漏源导通电阻：3 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：5 pFJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.25 W
认证状态：Not Qualified参考标准：AEC-Q101
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

DMN5L06WK-7 数据手册

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SPICE MODEL: DMN5L06WK  
DMN5L06WK  
Lead-free Green  
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT  
TRANSISTOR  
Features  
·
·
·
·
·
·
·
·
·
Low On-Resistance: RDS(ON)  
A
SOT-323  
Very Low Gate Threshold Voltage  
Low Input Capacitance  
D
Dim  
A
Min  
0.25  
1.15  
2.00  
Max  
0.40  
1.35  
2.20  
Fast Switching Speed  
C
B
B
Low Input/Output Leakage  
G
S
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2)  
ESD Protected Up To 2kV  
C
G
H
D
0.65 Nominal  
"Green" Device (Note 4)  
E
0.30  
1.20  
1.80  
0.0  
0.40  
1.40  
2.20  
0.10  
1.00  
0.40  
0.18  
8°  
Qualified to AEC-Q101 standards for High Reliability  
K
J
M
G
H
L
D
E
J
Mechanical Data  
K
0.90  
0.25  
0.10  
0°  
Drain  
·
·
Case: SOT-323  
L
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding  
Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0  
M
a
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
All Dimensions in mm  
Terminals: Finish ¾ Matte Tin annealed over Alloy 42  
Gate  
leadframe. Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
ESD protected up to 2kV  
·
·
·
·
Terminal Connections: See Diagram  
Marking: See Last Page  
Gate  
Protection  
Diode  
Source  
Ordering & Date Code Information: See Last Page  
Weight: 0.006 grams (approximate)  
EQUIVALENT CIRCUIT  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Maximum Ratings  
Symbol  
VDSS  
Value  
50  
20  
Units  
V
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current (Note 1)  
VGSS  
300  
800  
Continuous  
Pulsed (Note 3)  
ID  
mA  
Pd  
Total Power Dissipation (Note 1)  
200  
625  
mW  
RqJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Operating and Storage Temperature Range  
°C/W  
Tj, TSTG  
-65 to +150  
°C  
Note:  
1. Device mounted on FR-4 PCB.  
2. No purposefully added lead.  
3. Pulse width £10mS, Duty Cycle £1%.  
4. Diodes Inc.'s "Green" policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
DS30928 Rev. 2 - 2  
1 of 5  
DMN5L06WK  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
12345

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DMN5L06WK-7 替代型号

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