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DF3A5.6CT

更新时间： 2024-11-24 21:08:27

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		测试二极管
页数	文件大小	规格书
4页	173K
描述
DIODE 5.6 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, CST3, 1-1S1C, 3 PIN, Voltage Regulator Diode

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DF3A5.6CT 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-XBCC-N3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.69
外壳连接：	ANODE	配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JESD-30 代码：	R-XBCC-N3	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.15 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	5.6 V
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	最大电压容差：	6.19%
工作测试电流：	5 mA	Base Number Matches：	1

DF3A5.6CT 数据手册

DF3A5.6CT

TOSHIBA Diodes for Protecting Against ESD

DF3A5.6CT

Unit :mm

Product for Use Only as Protection against Electrostatic

Discharge (ESD)

*This product is for protection against electrostatic discharge (ESD) only

and is not intended for any other usage, including without limitation,

the constant voltage diode application.

z The mounting of two devices on an ultra-compact package allows the

number of parts and the mounting cost to be reduced.

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

CST3

Characteristic

Power dissipation

Symbol

Rating

Unit

１．CATHODE1

２．CATHODE2

３．ANODE

150*

150

°C

Junction temperature

Storage temperature range

stg

−55 to 150

°C

* : Mounted on FR4 board (10 mm × 10 mm × 1 mm(t))

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high

temperature/current/voltage and the significant change in

temperature, etc.) may cause this product to decrease in the

reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating

temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

―

JEDEC

JEITA

1-1S1C

TOSHIBA

Weight: 0.75 mg (typ.)

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Characteristic

Zener voltage

Symbol

Test Condition

= 5 mA

Min

Typ.

Max

Unit

5.6

―

6.0

5.3

―

Dynamic impedance

Reverse current

= 5 mA

=2.5 V

―

1.0

μA

Terminal capacitance

(between Cathode and Anode)

= 0 V, f = 1 MHz

―

Start of commercial production

2004-09

2014-03-01

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DF3A5.6CT(TPL3)	TOSHIBA	获取价格	Zener Diodes ESD Zener 5.6V 65pF 3.0uA
DF3A5.6F	TOSHIBA	获取价格	Unidirectional TVS Diode (ESD Protection Diode), SOT-346(S-Mini)
DF3A5.6FE	TOSHIBA	获取价格	Product for Use Only as Protection against Electrostatic Discharge (ESD).
DF3A5.6FE(TPL3,F)	TOSHIBA	获取价格	DIODE 5.6 V, 0.1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, ULTRA COMPACT, 1-2SA1
DF3A5.6FU	TOSHIBA	获取价格	Product for Use Only as Protection against Electrostatic Discharge (ESD).
DF3A5.6FU(F)	TOSHIBA	获取价格	暂无描述
DF3A5.6FU(T5L,PP,F	TOSHIBA	获取价格	Zener Diode, 5.6V V(Z), 6.19%, 0.1W, Silicon, Unidirectional
DF3A5.6FU(T5LALP,F	TOSHIBA	获取价格	Zener Diode, 5.6V V(Z), 6.19%, 0.1W, Silicon, Unidirectional
DF3A5.6FU(TE85L)	TOSHIBA	获取价格	ZENER DIODE,DUAL, THREE TERMINAL, COMMON ANODE,5.6V V(Z),5.4%,SOT-323
DF3A5.6FV	TOSHIBA	获取价格	Product for Use Only as Protection against Electrostatic Discharge (ESD).

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