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DF3A5.6F

更新时间： 2024-11-25 14:57:23

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东芝 - TOSHIBA		电视
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4页	166K
描述
Unidirectional TVS Diode (ESD Protection Diode), SOT-346(S-Mini)

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DF3A5.6F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.69	配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.15 W
参考标准：	IEC-61000-4-2	标称参考电压：	5.6 V
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	最大电压容差：	6.19%
工作测试电流：	5 mA	Base Number Matches：	1

DF3A5.6F 数据手册

DF3A5.6F

TOSHIBA Diodes for Protecting against ESD

DF3A5.6F

Unit: mm

Product for Use Only as Protection against Electrostatic

Discharge (ESD)

*This product is for protection against electrostatic discharge (ESD) only and

is not intended for any other usage, including without limitation,

the constant voltage diode application.

z The mounting of two devices on an ultra-compact package allows the

number of parts and the mounting cost to be reduced.

Abusolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristic

Power dissipation

Symbol

Rating

Unit

150

°C

1. Cathode1

Junction temperature

2. Cathode2

3. Anode

Storage temperature range

stg

−55 to 150

°C

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high

temperature/current/voltage and the significant change in

temperature, etc.) may cause this product to decrease in the

reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating

temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

TO-236MOD

SC-59

JEDEC

JEITA

1-3G1E

TOSHIBA

Weight : 12 mg (typ.)

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Characteristic

Zener voltage

Symbol

Test Condition

= 5 mA

Min

Typ.

Max

Unit

5.6

―

6.0

5.3

―

Dynamic impedance

Reverse current

= 5 mA

=2.5 V

―

1.0

μA

Terminal capacitance

(between Cathode and Anode)

= 0 V, f = 1 MHz

―

Guaranteed Level of ESD Immunity

Test Condition

ESD Immunity Level

IEC61000-4-2

(Contact discharge)

± 30 kV

Criterion: No damage to device elements

Start of commercial production

2005-12

2014-03-01

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DF3A5.6FE	TOSHIBA	获取价格	Product for Use Only as Protection against Electrostatic Discharge (ESD).
DF3A5.6FE(TPL3,F)	TOSHIBA	获取价格	DIODE 5.6 V, 0.1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, ULTRA COMPACT, 1-2SA1
DF3A5.6FU	TOSHIBA	获取价格	Product for Use Only as Protection against Electrostatic Discharge (ESD).
DF3A5.6FU(F)	TOSHIBA	获取价格	暂无描述
DF3A5.6FU(T5L,PP,F	TOSHIBA	获取价格	Zener Diode, 5.6V V(Z), 6.19%, 0.1W, Silicon, Unidirectional
DF3A5.6FU(T5LALP,F	TOSHIBA	获取价格	Zener Diode, 5.6V V(Z), 6.19%, 0.1W, Silicon, Unidirectional
DF3A5.6FU(TE85L)	TOSHIBA	获取价格	ZENER DIODE,DUAL, THREE TERMINAL, COMMON ANODE,5.6V V(Z),5.4%,SOT-323
DF3A5.6FV	TOSHIBA	获取价格	Product for Use Only as Protection against Electrostatic Discharge (ESD).
DF3A5.6FV(TL3PAV,Z	TOSHIBA	获取价格	暂无描述
DF3A5.6FV(TPL3)	TOSHIBA	获取价格	ZENER DIODE,DUAL, THREE TERMINAL, COMMON CATHODE,5.6V V(Z),7.1%,SOT-416VAR

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