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DF2S5.6CT

更新时间： 2024-11-21 14:57:55
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 电视
页数 文件大小 规格书
6页 143K
描述
Unidirectional TVS Diode (ESD Protection Diode), SOD-882(CST2)

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DF2S5.6CT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-XBCC-N2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.7
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：ZENER DIODEJESD-30 代码：R-XBCC-N2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：0.15 W认证状态：Not Qualified
标称参考电压：5.6 V表面贴装：YES
技术：ZENER端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
最大电压容差：6.19%工作测试电流：5 mA
Base Number Matches：1

DF2S5.6CT 数据手册

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DF2S5.6CT  
ESD Protection Diodes Silicon Epitaxial Planar  
DF2S5.6CT  
1. Applications  
•
ESD Protection  
Note: This product is designed for protection against electrostatic discharge (ESD) and is not intended for any other  
purpose, including, but not limited to, voltage regulation.  
2. Packaging and Internal Circuit  
1: Cathode  
2: Anode  
CST2  
3. Absolute Maximum Ratings (Note) (Unless otherwise specified, Ta = 25)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Electrostatic discharge voltage (IEC61000-4-2)(Contact)  
Junction temperature  
VESD  
Tj  
±30  
150  
kV  
Storage temperature  
Tstg  
-55 to 150  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even  
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
("Handling Precautions"/"Derating Concept and Methods") and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Start of commercial production  
2004-08  
2014-04-15  
Rev.4.0  
1
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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