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DF2S5M4SL

更新时间： 2024-11-20 21:18:43
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 局域网光电二极管电视
页数 文件大小 规格书
8页 311K
描述
30W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE

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DF2S5M4SL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-N2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.76最大击穿电压：5.5 V
最小击穿电压：3.7 V配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-N2最大非重复峰值反向功率耗散：30 W
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性：UNIDIRECTIONAL
参考标准：IEC-61000-4-5最大重复峰值反向电压：3.6 V
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

DF2S5M4SL 数据手册

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DF2S5M4SL  
ESD Protection Diodes Silicon Epitaxial Planar  
DF2S5M4SL  
1. Applications  
•
ESD Protection  
Note: This product is designed for protection against electrostatic discharge (ESD) and is not intended for any other  
purpose, including, but not limited to, voltage regulation.  
2. Packaging and Internal Circuit  
1: Cathode  
2: Anode  
SL2  
3. Absolute Maximum Ratings (Note) (Unless otherwise specified, Ta = 25 )  
Characteristics  
Symbol  
Note  
Rating  
Unit  
kV  
Electrostatic discharge voltage (IEC61000-4-2)(Contact)  
Electrostatic discharge voltage (IEC61000-4-2)(Air)  
Peak pulse power (tp = 8/20 µs)  
VESD  
(Note 1)  
±20  
PPK  
IPP  
Tj  
30  
2.0  
W
A
Peak pulse current (tp = 8/20 µs)  
Junction temperature  
(Note 2)  
150  
Storage temperature  
Tstg  
-55 to 150  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even  
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
("Handling Precautions"/"Derating Concept and Methods") and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Note 1: According to IEC61000-4-2.  
Note 2: According to IEC61000-4-5.  
Start of commercial production  
2016-03  
©2016 Toshiba Corporation  
2016-03-25  
Rev.1.0  
1
12345678

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与DF2S5M4SL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DF2S5M4SL,L3F(T TOSHIBA

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 		30W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
DF2S5M5CT TOSHIBA

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 		Unidirectional TVS Diode (ESD Protection Diode), 3.3 V, SOD-882(CST2)
DF2S5M5SL TOSHIBA

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 		Unidirectional TVS Diode (ESD Protection Diode), 3.3 V, SOD-962(SL2)
DF2S6.2ASL TOSHIBA

获取价格

 		Unidirectional TVS Diode (ESD Protection Diode), 5.0 V, SOD-962(SL2)
DF2S6.2CT TOSHIBA

获取价格

 		DIODE 6.2 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, ULTRA SMALL, CST2, 1
DF2S6.2CT(TPL3) TOSHIBA

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 		ZENER DIODE,SINGLE, TWO TERMINAL,6.2V V(Z),6.5%,SOD-882
DF2S6.2FS TOSHIBA

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 		Product for Use Only as Protection against Electrostatic Discharge (ESD).
DF2S6.2FS(TL3AST) TOSHIBA

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 		Zener Diode, 6.2V V(Z), 6.45%, Silicon, Unidirectional
DF2S6.2FS(TL3PSE,E TOSHIBA

获取价格

 		Zener Diode, 6.2V V(Z), 6.45%, Silicon, Unidirectional
DF2S6.2FS(TL3SKT) TOSHIBA

获取价格

 		Zener Diode, 6.2V V(Z), 6.45%, Silicon, Unidirectional

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