Datasheet > DF2S5M4SL,L3F(T

DF2S5M4SL,L3F(T

更新时间： 2024-11-20 21:18:43

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		局域网光电二极管电视
页数	文件大小	规格书
8页	311K
描述
30W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

DF2S5M4SL,L3F(T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-N2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	1.78	最大击穿电压：	5.5 V
最小击穿电压：	3.7 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-N2	最大非重复峰值反向功率耗散：	30 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
参考标准：	IEC-61000-4-5	最大重复峰值反向电压：	3.6 V
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

DF2S5M4SL,L3F(T 数据手册

DF2S5M4SL

ESD Protection Diodes Silicon Epitaxial Planar

DF2S5M4SL

1. Applications

•

ESD Protection

Note: This product is designed for protection against electrostatic discharge (ESD) and is not intended for any other

purpose, including, but not limited to, voltage regulation.

2. Packaging and Internal Circuit

1: Cathode

2: Anode

SL2

3. Absolute Maximum Ratings (Note) (Unless otherwise specified, Ta = 25 )

Characteristics

Symbol

Note

Rating

Unit

Electrostatic discharge voltage (IEC61000-4-2)(Contact)

Electrostatic discharge voltage (IEC61000-4-2)(Air)

Peak pulse power (tp = 8/20 µs)

VESD

(Note 1)

±20

PPK

IPP

2.0

Peak pulse current (tp = 8/20 µs)

Junction temperature

(Note 2)

150



Storage temperature

Tstg

-55 to 150

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

("Handling Precautions"/"Derating Concept and Methods") and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

Note 1: According to IEC61000-4-2.

Note 2: According to IEC61000-4-5.

Start of commercial production

2016-03

2016-03-25

Rev.1.0

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与DF2S5M4SL,L3F(T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DF2S5M5CT	TOSHIBA	获取价格	Unidirectional TVS Diode (ESD Protection Diode), 3.3 V, SOD-882(CST2)
DF2S5M5SL	TOSHIBA	获取价格	Unidirectional TVS Diode (ESD Protection Diode), 3.3 V, SOD-962(SL2)
DF2S6.2ASL	TOSHIBA	获取价格	Unidirectional TVS Diode (ESD Protection Diode), 5.0 V, SOD-962(SL2)
DF2S6.2CT	TOSHIBA	获取价格	DIODE 6.2 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, ULTRA SMALL, CST2, 1
DF2S6.2CT(TPL3)	TOSHIBA	获取价格	ZENER DIODE,SINGLE, TWO TERMINAL,6.2V V(Z),6.5%,SOD-882
DF2S6.2FS	TOSHIBA	获取价格	Product for Use Only as Protection against Electrostatic Discharge (ESD).
DF2S6.2FS(TL3AST)	TOSHIBA	获取价格	Zener Diode, 6.2V V(Z), 6.45%, Silicon, Unidirectional
DF2S6.2FS(TL3PSE,E	TOSHIBA	获取价格	Zener Diode, 6.2V V(Z), 6.45%, Silicon, Unidirectional
DF2S6.2FS(TL3SKT)	TOSHIBA	获取价格	Zener Diode, 6.2V V(Z), 6.45%, Silicon, Unidirectional
DF2S6.2FS(TPL3)	TOSHIBA	获取价格	ZENER DIODE,SINGLE, TWO TERMINAL,6.2V V(Z),6.5%,EMD2VAR

与DF2S5M4SL,L3F(T相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

25
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

17
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

49
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

DF2S5M4SL,L3F(T

DF2S5M4SL,L3F(T 技术参数

DF2S5M4SL,L3F(T 数据手册

与DF2S5M4SL,L3F(T相关器件

与DF2S5M4SL,L3F(T相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

DF2S5M4SL,L3F(T

DF2S5M4SL,L3F(T 技术参数

DF2S5M4SL,L3F(T 数据手册

与DF2S5M4SL,L3F(T相关器件

与DF2S5M4SL,L3F(T相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？