Datasheet > DF2S5M4CT

DF2S5M4CT

更新时间： 2024-09-25 14:56:55

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		电视
页数	文件大小	规格书
9页	382K
描述
Unidirectional TVS Diode (ESD Protection Diode), 3.6 V, SOD-882(CST2)

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

DF2S5M4CT 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PBCC-N2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.77
最大击穿电压：	5.5 V	最小击穿电压：	3.7 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JESD-30 代码：	R-PBCC-N2
最大非重复峰值反向功率耗散：	30 W	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	极性：	UNIDIRECTIONAL
参考标准：	IEC-61000-4-2, 4-5	最大重复峰值反向电压：	3.6 V
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
Base Number Matches：	1

DF2S5M4CT 数据手册

DF2S5M4CT

ESD Protection Diodes Silicon Epitaxial Planar

DF2S5M4CT

1. General

The DF2S5M4CT is a TVS diode (ESD protection diode) protects semiconductor devices used in mobile device

interfaces and other applications to protect against static electricity and noise.

Utilizing snapback characteristics, the DF2S5M4CT provides low dynamic resistance and superior protective

performance.

Furthermore, it is optimum the high speed signal application for the low capacitance performance. The

DF2S5M4CT is housed in an ultra-compact package (1.0 mm × 0.6 mm) to meet applications that require a small

footprint.

2. Applications

Mobile Equipment

 Smartphones

 Tablets

 Notebook PCs

Desktop PCs

Note: This product is designed for protection against electrostatic discharge (ESD) and is not intended for any other

purpose, including, but not limited to, voltage regulation.

3. Features

(1) Suitable for use with a 3.3 V signal line. (VRWM ≤ 3.6 V)

(2) Protects devices with its high ESD performance.

(VESD = ±20 kV (Contact / Air) @IEC61000-4-2)

(3) Low dynamic resistance protects semiconductor devices from static electricity and noise.

(RDYN = 0.3 Ω (typ.))

(4) Snapback characteristics realizing low clamping voltage protects semiconductor devices.

(VC = 8 V@IPP = 2 A (typ.))

(5) Compact package is suitable for use in high density board layouts such as in mobile devices.

(1.0 mm × 0.6 mm size (Nickname: CST2))

4. Packaging

CST2

Start of commercial production

2016-12

2018-01-25

Rev.3.0

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与DF2S5M4CT相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DF2S5M4FS	TOSHIBA	获取价格	Unidirectional TVS Diode (ESD Protection Diode), 3.6 V, SOD-923
DF2S5M4SL	TOSHIBA	获取价格	30W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
DF2S5M4SL,L3F(T	TOSHIBA	获取价格	30W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
DF2S5M5CT	TOSHIBA	获取价格	Unidirectional TVS Diode (ESD Protection Diode), 3.3 V, SOD-882(CST2)
DF2S5M5SL	TOSHIBA	获取价格	Unidirectional TVS Diode (ESD Protection Diode), 3.3 V, SOD-962(SL2)
DF2S6.2ASL	TOSHIBA	获取价格	Unidirectional TVS Diode (ESD Protection Diode), 5.0 V, SOD-962(SL2)
DF2S6.2CT	TOSHIBA	获取价格	DIODE 6.2 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, ULTRA SMALL, CST2, 1
DF2S6.2CT(TPL3)	TOSHIBA	获取价格	ZENER DIODE,SINGLE, TWO TERMINAL,6.2V V(Z),6.5%,SOD-882
DF2S6.2FS	TOSHIBA	获取价格	Product for Use Only as Protection against Electrostatic Discharge (ESD).
DF2S6.2FS(TL3AST)	TOSHIBA	获取价格	Zener Diode, 6.2V V(Z), 6.45%, Silicon, Unidirectional

与DF2S5M4CT相关文章

SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

4
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

8
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

79
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

71

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

DF2S5M4CT

DF2S5M4CT 技术参数

DF2S5M4CT 数据手册

与DF2S5M4CT相关器件

与DF2S5M4CT相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

DF2S5M4CT

DF2S5M4CT 技术参数

DF2S5M4CT 数据手册

与DF2S5M4CT相关器件

与DF2S5M4CT相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？