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CZT122

更新时间： 2024-01-15 14:45:23

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科信 - KEXIN		晶体晶体管达林顿晶体管
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1页	38K
描述
Surface Mount NPN Silicon Power Darlington Transistor

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CZT122 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.61
最大集电极电流 (IC)：	5 A	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	1000	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
标称过渡频率 (fT)：	4 MHz	Base Number Matches：	1

CZT122 数据手册

SMD Type

TransistIoCrs

Surface Mount NPN Silicon Power Darlington Transistor

KZT122 ^(CZT122)

SOT-223

Unit: mm

+0.2

3.50

-0.2

+0.2

6.50

-0.2

Features

High current (max. 5A).

Low voltage (max. 100V).

+0.2

0.90

-0.2

+0.1

3.00

-0.1

+0.3

7.00

-0.3

1 Base

2 Collector

3 Emitter

4 Collector

+0.1

0.70

-0.1

2.9

4.6

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Symbol

VCBO

VCEO

VEBO

Rating

Unit

100

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

100

Collector current

ICP

120

Base current

power dissipation

Thermal Resistance.Junction-to-Ambient

Junction temperature

Storage temperature

Tstg

62.5

150

-65 to +150

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Collector to emitter breakdown voltage

Collctor cutoff current

Symbol

Testconditons

Min

Typ

Max

Unit

VCEO

ICEO

ICBO

IEBO

IC=30mA

100

VCE=50V

500

200

2.0

Collector cutoff current

VCB = 100 V

VEB = 5.0 V

Emitter cutoff current

IC = 500 mA; VCE =3.0 V

IC = 3A; VCE = 3.0V

1000

DC current gain

hFE

Collector to emitter saturation voltage

Base to emitter saturation voltage

Output capacitance

VCE(sat)

IC = 3.0A; IB = 12mA

2.0

4.0

200

VBE(sat) IC = 5.0A; IB = 20mA

Cob

VCB = 10 V, IE = 0,f=1.0MHz

IC= 3A; VCE =4V; f = 1.0 MHz

Transition frequency

4.0

MHz

www.kexin.com.cn

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