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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> CZT127
CZT127 PDF预览

CZT127

更新时间： 2024-11-23 03:27:51
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管功率双极晶体管达林顿晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 75K
描述
SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR

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CZT127 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：POWER223, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.1Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：5 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：1000JESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：4 MHz
Base Number Matches：1

CZT127 数据手册

 浏览型号CZT127的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CZT122 NPN  
CZT127 PNP  
Central  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT122,  
CZT127 types are Complementary Silicon  
Power Darlington Transistors manufactured in a  
surface mount package designed for low speed  
switching and amplifier applications.  
Semiconductor Corp.  
SURFACE MOUNT  
COMPLEMENTARY SILICON  
POWER DARLINGTON TRANSISTOR  
MARKING CODE: FULL PART NUMBER  
SOT-223 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Peak Collector Current  
Base Current  
V
V
V
100  
100  
5.0  
5.0  
8.0  
120  
2.0  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
V
A
A
mA  
W
I
C
I
CM  
B
I
Power Dissipation  
P
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T ,T  
stg  
-65 to +150  
62.5  
°C  
°C/W  
J
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
µA  
µA  
mA  
V
I
I
I
V
V
V
=50V  
=100V  
=5.0V  
500  
200  
2.0  
CEO  
CBO  
EBO  
CE  
CB  
EB  
BV  
I =30mA  
100  
CEO  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
C
V
V
V
I =3.0A, I =12mA  
2.0  
4.0  
2.5  
V
C
B
I =5.0A, I =20mA  
V
C
B
V
=3.0V, I =3.0A  
V
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
CB  
C
h
h
V
V
V
V
V
=3.0V, I =500mA  
1000  
1000  
4.0  
C
=3.0V, I =3.0A  
FE  
C
f
=4.0V, I =3.0A, f=1.0MHz  
MHz  
pF  
T
C
C
=10V, I =0, f=1.0MHz (CZT122)  
200  
300  
ob  
ob  
E
C
=10V, I =0, f=1.0MHz (CZT127)  
pF  
E
R3 (17-June 2004)  
12

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