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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.11 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 5 A | 基于收集器的最大容量： | 300 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | DARLINGTON |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 1000 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 4 MHz |
| VCEsat-Max： | 4 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CZT127TR13 | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| CZT127TR13LEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| CZT127TR13PBFREE | CENTRAL |
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Transistor, |
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| CZT127TRLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| CZT127TRPBFREE | CENTRAL |
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暂无描述 |
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| CZT2000 | CENTRAL |
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NPN SILICON EXTREMELY HIGH VOLTAGE DARLINGTON TRANSISTOR |
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| CZT2000 | KEXIN |
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PNP Silicon Extremely High Voltage Darlington Transistor |
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| CZT2000 | TYSEMI |
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Absolute Maximum Ratings Ta = 25 |
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| CZT2000_10 | CENTRAL |
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SURFACE MOUNT EXTREMELY HIGH VOLTAGE NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR |
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| CZT2000BK | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, |
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