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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> CZT2222APBFREE#N/A
CZT2222APBFREE#N/A PDF预览

CZT2222APBFREE#N/A

更新时间： 2024-11-19 13:07:15
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 97K
描述
Power Bipolar Transistor,

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CZT2222APBFREE#N/A 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.64
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：300 MHzBase Number Matches：1

CZT2222APBFREE#N/A 数据手册

 浏览型号CZT2222APBFREE#N/A的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
Ce n t r a l  
CZT2222A  
S e m ic o n d u c t o r Co r p .  
NPN SILICON TRANSISTOR  
DESCRIPTION  
The  
CENTRAL  
SEMICONDUCTOR  
CZT2222A type is an NPN silicon transistor  
manufactured by the epitaxial planar process,  
epoxy molded in a surface mount package,  
designed for general purpose amplifier and  
switching applications.  
SOT-223 CASE  
o
MAXIMUM RATINGS (T =25 C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
V
75  
40  
6.0  
600  
2.0  
V
V
V
mA  
W
CBO  
CEO  
EBO  
I
P
C
Power Dissipation  
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
o
o
T ,T  
-65 to +150  
62.5  
C
C/W  
J stg  
Θ
JA  
o
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T =25 C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
10  
10  
10  
10  
UNITS  
nA  
µA  
nA  
nA  
V
I
I
I
I
V
V
V
V
=60V  
=60V, T =125 C  
=3.0V  
=60V, V =3.0V  
CBO  
CBO  
EBO  
CEV  
CBO  
CEO  
EBO  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
CB  
CB  
EB  
CE  
o
A
EB  
BV  
BV  
BV  
V
V
V
V
h
I =10µA  
75  
40  
6.0  
C
I =10mA  
V
V
V
V
V
V
C
I =10µA  
E
I =150mA, I =15mA  
0.3  
1.0  
1.2  
2.0  
C
B
B
B
B
I =500mA, I =50mA  
C
I =150mA, I =15mA  
0.6  
C
I =500mA, I =50mA  
C
V
=10V, I =0.1mA  
35  
50  
75  
CE  
CE  
CE  
C
h
h
V
V
=10V, I =1.0mA  
C
FE  
=10V, I =10mA  
FE  
C
300  
12

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