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CZT2000TR13LEADFREE

更新时间: 2024-11-19 20:47:59
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2页 31K
描述
Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin,

CZT2000TR13LEADFREE 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.11
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):0.6 A
配置:DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE):3000
JESD-30 代码:R-PDSO-G4JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):2 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:10晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONVCEsat-Max:1.2 V
Base Number Matches:1

CZT2000TR13LEADFREE 数据手册

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