Datasheet > 晶体管 > 其他晶体管> CZT250KTRLEADFREE

CZT250KTRLEADFREE

更新时间： 2024-11-19 12:58:47

品牌	Logo	应用领域
CENTRAL		晶体晶体管达林顿晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	73K
描述
Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CZT250KTRLEADFREE 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	最大集电极电流 (IC)：	1 A
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	250000
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	标称过渡频率 (fT)：	125 MHz
Base Number Matches：	1

CZT250KTRLEADFREE 数据手册

CZT250K

Central

Semiconductor Corp.

SURFACE MOUNT

NPN EXTREMELY HIGH h

SILICON DARLINGTON TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT250K

type is an NPN silicon Darlington transistor man-

ufactured by the epitaxial planar process, epoxy

molded in a surface mount package, designed

for applications requiring extremely high gain.

MARKING CODE: FULL PART NUMBER

SOT-223 CASE

MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)

SYMBOL

UNITS

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

1.0

2.0

CBO

CEO

EBO

Power Dissipation

Operating and Storage

Junction Temperature

T ,T

-65 to +150

62.5

°C

°C/W

stg

Thermal Resistance

ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

CBO

TEST CONDITIONS

MIN

MAX

UNITS

=30V

100

I =10µA

CBO

CEO

EBO

I =10mA

I =100µA

I =100mA, I =0.1mA

1.5

2.0

CE(SAT)

BE(ON)

=5.0V, I =100mA

=5.0V, I =10mA

250,000

125

=5.0V, I =100mA

=5.0V, I =10mA, f=100MHz

MHz

R2 ( 17-June 2004)

中文翻译

下载PDF

与CZT250KTRLEADFREE相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CZT250KTRPBFREE	CENTRAL	获取价格	Transistor,
CZT2680	CENTRAL	获取价格	SURFACE MOUNT NPN HIGH VOLTAGE SILICON SWITCHING POWER TRANSISTOR
CZT2680_10	CENTRAL	获取价格	SURFACE MOUNT HIGH VOLTAGE NPN SILICON SWITCHING POWER TRANSISTOR
CZT2680BK	CENTRAL	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy
CZT2680BKLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Transistor
CZT2680BKPBFREE	CENTRAL	获取价格	Transistor,
CZT2680LEADFREE	CENTRAL	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy
CZT2680TR	CENTRAL	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy
CZT2680TR13LEADFREE	CENTRAL	获取价格	Transistor
CZT2680TRLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Transistor