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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.11 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A | 配置： | DARLINGTON |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 3000 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | VCEsat-Max： | 1.2 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CZT2000LEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, PLASTI |
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| CZT2000TR | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, |
|
| CZT2000TR13 | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, |
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| CZT2000TR13LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, |
|
| CZT2000TRLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, |
|
| CZT2000TRPBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Transistor, |
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| CZT2222 | CENTRAL |
获取价格 |
NPN SILICON TRANSISTOR |
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| CZT2222A | CENTRAL |
获取价格 |
NPN SILICON TRANSISTOR |
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| CZT2222A_10 | CENTRAL |
获取价格 |
SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR |
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| CZT2222ABK | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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