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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> CZT127TRLEADFREE
CZT127TRLEADFREE PDF预览

CZT127TRLEADFREE

更新时间： 2024-01-27 05:15:50
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管功率双极晶体管达林顿晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 597K
描述
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin,

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CZT127TRLEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.11
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：5 A
基于收集器的最大容量：300 pF集电极-发射极最大电压：100 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：1000
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：4 MHz
VCEsat-Max：4 VBase Number Matches：1

CZT127TRLEADFREE 数据手册

 浏览型号CZT127TRLEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
CZT122 NPN  
CZT127 PNP  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
COMPLEMENTARY SILICON  
POWER DARLINGTON TRANSISTORS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT122, CZT127  
types are Complementary Silicon Power Darlington  
Transistors manufactured in a surface mount package  
designed for low speed switching and amplifier  
applications.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
SOT-223 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
Collector-Base Voltage  
V
V
V
100  
100  
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
5.0  
V
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
I
5.0  
A
C
I
8.0  
A
CM  
Continuous Base Current  
Power Dissipation  
I
120  
mA  
W
B
P
2.0  
D
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T
T
-65 to +150  
62.5  
°C  
°C/W  
J, stg  
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
500  
200  
2.0  
UNITS  
µA  
µA  
mA  
V
I
I
I
V
V
V
=50V  
=100V  
=5.0V  
CEO  
CBO  
EBO  
CE  
CB  
EB  
BV  
I =30mA  
100  
CEO  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
C
V
V
V
I =3.0A, I =12mA  
2.0  
4.0  
2.5  
V
C
B
I =5.0A, I =20mA  
V
C
B
V
=3.0V, I =3.0A  
V
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
CB  
C
h
h
V
V
V
V
V
=3.0V, I =500mA  
1000  
1000  
4.0  
C
=3.0V, I =3.0A  
FE  
C
f
=4.0V, I =3.0A, f=1.0MHz  
MHz  
pF  
T
C
C
C
=10V, I =0, f=1.0MHz (CZT122)  
200  
300  
ob  
ob  
E
=10V, I =0, f=1.0MHz (CZT127)  
pF  
E
R4 (1-March 2010)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CZT127TRPBFREE CENTRAL

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 		暂无描述
CZT2000 CENTRAL

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 		NPN SILICON EXTREMELY HIGH VOLTAGE DARLINGTON TRANSISTOR
CZT2000 KEXIN

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 		PNP Silicon Extremely High Voltage Darlington Transistor
CZT2000 TYSEMI

获取价格

 		Absolute Maximum Ratings Ta = 25
CZT2000_10 CENTRAL

获取价格

 		SURFACE MOUNT EXTREMELY HIGH VOLTAGE NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
CZT2000BK CENTRAL

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin,
CZT2000LEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, PLASTI
CZT2000TR CENTRAL

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 		Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin,
CZT2000TR13 CENTRAL

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 		Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin,
CZT2000TR13LEADFREE CENTRAL

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 		Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin,

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