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CY7C1010DV33-10VXIT

更新时间： 2024-11-09 21:13:59
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 845K
描述
Standard SRAM, 256KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, LEAD FREE, SOJ-36

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CY7C1010DV33-10VXIT 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SOJ, SOJ36,.44
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.B
HTS代码：8542.32.00.41Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.53最长访问时间：10 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-J36
JESD-609代码：e4长度：23.495 mm
内存密度：2097152 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：36
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOJ封装等效代码：SOJ36,.44
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：2.75 mm最大待机电流：0.01 A
最小待机电流：2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.09 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

CY7C1010DV33-10VXIT 数据手册

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CY7C1010DV33  
2-Mbit (256 K × 8) Static RAM  
2-Mbit (256  
K × 8) Static RAM  
Features  
Functional Description  
■ Pin and function compatible with CY7C1010CV33  
The CY7C1010DV33 is a high performance CMOS Static RAM  
organized as 256 K words by 8 bits. Easy memory expansion is  
provided by an active LOW Chip Enable (CE), an active LOW  
Output Enable (OE), and three-state drivers. Writing to the  
device is accomplished by taking Chip Enable (CE) and Write  
Enable (WE) inputs LOW. Data on the eight I/O pins (I/O0  
through I/O7) is then written into the location specified on the  
address pins (A0 through A17).  
■ High speed  
❐ tAA = 10 ns  
■ Low active power  
❐ ICC = 90 mA at 10 ns  
■ Low CMOS standby power  
❐ ISB2 = 10 mA  
Reading from the device is accomplished by taking Chip Enable  
(CE) and Output Enable (OE) LOW while forcing Write Enable  
(WE) HIGH. Under these conditions, the contents of the memory  
location specified by the address pins will appear on the I/O pins.  
■ 2.0 V data retention  
■ Automatic power down when deselected  
■ TTL-compatible inputs and outputs  
The eight input and output pins (I/O0 through I/O7) are placed in  
a high impedance state when the device is deselected (CE  
HIGH), the outputs are disabled (OE HIGH), or during a Write  
operation (CE LOW, and WE LOW).  
■ Easy memory expansion with CE and OE features  
■ Available in Pb-free 36-pin SOJ and 44-pin TSOP II packages  
The CY7C1010DV33 is available in 36-pin SOJ and 44-pin  
TSOP II packages with center power and ground (revolutionary)  
pinout.  
Logic Block Diagram  
IO  
0
INPUT BUFFER  
A
0
IO  
1
A
1
A
2
IO  
2
A
3
A
4
256K x 8  
ARRAY  
IO  
3
A
A
A
A
A
A
5
6
IO  
4
7
8
IO  
IO  
IO  
5
6
7
9
10  
CE  
POWER  
DOWN  
COLUMN DECODER  
WE  
OE  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document Number: 001-00062 Rev. *E  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised December 2, 2013  
 
1234567...16

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CY7C1010DV33-10VXIT 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CY7C1010DV33-10VXI CYPRESS

完全替代

 2-Mbit (256K x 8) Static RAM
GS72108AGJ-8IT GSI

功能相似

 Standard SRAM, 256KX8, 8ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, SOJ-36
IS61LV2568L-10KI ISSI

功能相似

 256K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

与CY7C1010DV33-10VXIT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY7C1010DV33-10ZSXI CYPRESS

获取价格

 		2-Mbit (256K x 8)Static RAM
CY7C1010DV33-10ZSXI INFINEON

获取价格

 		Asynchronous SRAM
CY7C1010DV33-10ZSXIT INFINEON

获取价格

 		Asynchronous SRAM
CY7C1011BV33 CYPRESS

获取价格

 		128K x 16 Static RAM
CY7C1011BV33-10ZC CYPRESS

获取价格

 		Standard SRAM, 128KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
CY7C1011BV33-12ZC CYPRESS

获取价格

 		128K x 16 Static RAM
CY7C1011BV33-12ZI CYPRESS

获取价格

 		128K x 16 Static RAM
CY7C1011BV33-15ZC CYPRESS

获取价格

 		128K x 16 Static RAM
CY7C1011BV33-15ZCT CYPRESS

获取价格

 		Standard SRAM, 128KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
CY7C1011BV33-15ZI CYPRESS

获取价格

 		128K x 16 Static RAM

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