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CY7C1011CV33-10ZSXA

更新时间： 2024-09-18 03:07:43
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
14页 354K
描述
2-Mbit (128K x 16) Static RAM

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CY7C1011CV33-10ZSXA 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2, TSOP44,.46,32
针数：44Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.2.BHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.73Is Samacsys：N
最长访问时间：10 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G44JESD-609代码：e4
长度：18.415 mm内存密度：2097152 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：44字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：128KX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装等效代码：TSOP44,.46,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified筛选级别：AEC-Q100
座面最大高度：1.194 mm最大待机电流：0.01 A
最小待机电流：3 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.1 mA最大供电电压 (Vsup)：3.63 V
最小供电电压 (Vsup)：2.97 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

CY7C1011CV33-10ZSXA 数据手册

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CY7C1011CV33  
2-Mbit (128K x 16) Static RAM  
Features  
Functional Description  
■ Temperature ranges  
The CY7C1011CV33 is a high performance CMOS static RAM  
organized as 131,072 words by 16 bits. This device has an  
automatic power down feature that significantly reduces power  
consumption when deselected.  
❐ Commercial: 0°C to 70°C  
❐ Industrial: –40°C to 85°C  
❐ Automotive-A: –40°C to 85°C  
To write to the device, take Chip Enable (CE) and Write Enable  
(WE) inputs LOW. If Byte Low Enable (BLE) is LOW, then data  
from IO pins (IO0 through IO7), is written into the location  
specified on the address pins (A0 through A16). If Byte High  
■ Pin and function compatible with CY7C1011BV33  
■ High speed  
❐ tAA = 10 ns  
Enable (BHE) is LOW, then data from IO pins (IO8 through IO15  
)
■ Low active power  
❐ 360 mW (max)  
is written into the location specified on the address pins (A0  
through A16).  
To read from the device, take Chip Enable (CE) and Output  
Enable (OE) LOW while forcing the Write Enable (WE) HIGH. If  
Byte Low Enable (BLE) is LOW, then data from the memory  
location specified by the address pins appear on IO0 to IO7. If  
Byte High Enable (BHE) is LOW, then data from memory  
appears on IO8 to IO15. For more information, see the “Truth  
Table” on page 9 for a complete description of Read and Write  
modes.  
■ Data Retention at 2.0  
■ Automatic power down when deselected  
■ Independent control of upper and lower bits  
■ Easy memory expansion with CE and OE features  
■ Available in Pb-free and non Pb-free 44-pin TSOP II, 44-pin  
TQFP and 48-Ball VFBGA packages  
The input and output pins (IO0 through IO15) are placed in a high  
impedance state when the device is deselected (CE HIGH), the  
outputs are disabled (OE HIGH), the BHE and BLE are disabled  
(BHE, BLE HIGH), or during a write operation (CE LOW and WE  
LOW).  
For best practice recommendations, refer to the Cypress  
application note AN1064, SRAM System Guidelines.  
Logic Block Diagram  
INPUT BUFFER  
A
A
0
1
A
A
A
A
2
3
4
5
128K x 16  
RAM Array  
IO –IO  
0
7
A
A
A
6
7
8
IO –IO  
8
15  
COLUMN DECODER  
BHE  
WE  
CE  
OE  
BLE  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document Number: 38-05232 Rev. *F  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised January 04, 2008  
[+] Feedback  
1234567...14

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CY7C1011CV33-10ZSXA 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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