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IS61LV12816L-10TL

更新时间： 2024-01-10 14:04:54

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
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描述
128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY

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IS61LV12816L-10TL 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2, TSOP44,.46,32	针数：	44
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	Factory Lead Time：	8 weeks
风险等级：	1.46	最长访问时间：	10 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
JESD-609代码：	e3	长度：	18.415 mm
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP44,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.004 A	最小待机电流：	3.14 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.065 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.63 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.97 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

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IS61LV12816L

ISSI

128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

WITH 3.3V SUPPLY

OCTOBER2005

FEATURES

DESCRIPTION

The ISSI IS61LV12816L is a high-speed, 2,097,152-bit

static RAM organized as 131,072 words by 16 bits. It is

fabricated using ISSI's high-performance CMOS

technology. This highly reliable process coupled with

innovative circuit design techniques, yields access times

as fast as 8 ns with low power consumption.

• High-speed access time: 8, 10 ns

• Operating Current: 50mA (typ.)

• Stand by Current: 700µA (typ.)

• TTL and CMOS compatible interface levels

• Single 3.3V power supply

When CE is HIGH (deselected), the device assumes a

standby mode at which the power dissipation can be

reduced down with CMOS input levels.

• Fully static operation: no clock or refresh

required

• Three state outputs

EasymemoryexpansionisprovidedbyusingChipEnable

and Output Enable inputs, CE and OE. The active LOW

WriteEnable(WE)controlsbothwritingandreadingofthe

memory. A data byte allows Upper Byte (UB) and Lower

Byte (LB) access.

• Data control for upper and lower bytes

• Industrial temperature available

• Lead-free available

The IS61LV12816L is packaged in the JEDEC standard

44-pinTSOP(TypeII),44-pinLQFP,and48-pinminiBGA

(6mm x 8mm).

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

128Kx16

MEMORY ARRAY

A0-A16

DECODER

VDD

GND

I/O0-I/O7

Lower Byte

I/O

DATA

CIRCUIT

COLUMN I/O

I/O8-I/O15

Upper Byte

CONTROL

CIRCUIT

Copyright © 2005 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time without notice. ISSI assumes no liability

arisingoutoftheapplicationoruseofanyinformation, productsorservicesdescribedherein. Customersareadvisedtoobtainthelatestversionofthisdevicespecificationbeforerelyingonany

publishedinformationandbeforeplacingordersforproducts.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774

Rev. F

10/27/05

12 3 4 5 6 7...16

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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IS61LV12816L-12T	ISSI	Standard SRAM, 128KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, PLASTIC, TSOP-44	获取价格
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