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CY7C1011CV33-10ZC PDF预览

CY7C1011CV33-10ZC

更新时间： 2024-09-17 22:09:35
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
11页 334K
描述
128K x 16 Static RAM

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CY7C1011CV33-10ZC 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2-44
针数：44Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.55
最长访问时间：10 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G44JESD-609代码：e0
长度：18.415 mm内存密度：2097152 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：44字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：128KX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装等效代码：TSOP44,.46,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：240电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.194 mm
最大待机电流：0.01 A最小待机电流：3 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

CY7C1011CV33-10ZC 数据手册

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CY7C1011CV33  
128K x 16 Static RAM  
written into the location specified on the address pins (A0  
through A16). If Byte High Enable (BHE) is LOW, then data  
from I/O pins (I/O8 through I/O15) is written into the location  
specified on the address pins (A0 through A16).  
Features  
• Pin equivalent to CY7C1011BV33  
• High speed  
Reading from the device is accomplished by taking Chip  
Enable (CE) and Output Enable (OE) LOW while forcing the  
Write Enable (WE) HIGH. If Byte Low Enable (BLE) is LOW,  
then data from the memory location specified by the address  
pins will appear on I/O0 to I/O7. If Byte High Enable (BHE) is  
LOW, then data from memory will appear on I/O8 to I/O15. See  
the truth table at the back of this data sheet for a complete  
description of read and write modes.  
— tAA = 10 ns  
• Low active power  
— 360 mW (max.)  
• Data Retention at 2.0  
• Automatic power-down when deselected  
• Independent control of upper and lower bits  
• Easy memory expansion with CE and OE features  
The input/output pins (I/O0 through I/O15) are placed in a  
high-impedance state when the device is deselected (CE  
HIGH), the outputs are disabled (OE HIGH), the BHE and BLE  
are disabled (BHE, BLE HIGH), or during a write operation (CE  
LOW, and WE LOW).  
• Available in 44-pin TSOP II, 44-pin TQFP, and 48-ball  
VFBGA  
Functional Description  
The CY7C1011CV33 is a high-performance CMOS Static  
RAM organized as 131,072 words by 16 bits.  
The CY7C1011CV33 is available in a standard 44-pin TSOP  
II package with center power and ground pinout, a 44-pin Thin  
Plastic Quad Flatpack (TQFP), as well as a 48-ball fine-pitch  
ball grid array (VFBGA) package.  
Writing to the device is accomplished by taking Chip Enable  
(CE) and Write Enable (WE) inputs LOW. If Byte Low Enable  
(BLE) is LOW, then data from I/O pins (I/O0 through I/O7), is  
Logic Block Diagram  
Pin Configuration  
TSOP II  
Top View  
INPUT BUFFER  
44  
1
A
4
A
5
A
0
43  
42  
41  
40  
39  
38  
A
A
2
3
4
5
6
3
6
A
1
A
A
2
7
A
2
OE  
A
1
I/O – I/O  
256K x 16  
ARRAY  
0
7
A
3
4
BHE  
BLE  
I/O  
I/O  
I/O  
A
0
A
CE  
1024 x 4096  
A
I/O – I/O  
5
6
8
15  
I/O  
7
0
15  
A
37  
36  
35  
34  
33  
I/O  
I/O  
8
1
2
14  
13  
12  
A
7
8
9
A
10  
11  
12  
13  
I/O  
V
SS  
I/O  
3
CC  
V
SS  
V
V
CC  
COLUMN  
DECODER  
32  
I/O  
I/O  
I/O  
4
5
6
7
11  
10  
I/O  
I/O  
I/O  
31  
30  
29  
28  
14  
15  
16  
I/O  
I/O  
9
8
WE 17  
NC  
A
18  
15 19  
20  
27  
26  
25  
16  
A
BHE  
8
A
A
9
WE  
CE  
OE  
A
A
A
A
11  
14  
13  
10  
21  
22  
A
24  
23  
BLE  
NC  
12  
Cypress Semiconductor Corporation  
•
3901 North First Street  
•
San Jose  
•
CA 95134  
•
408-943-2600  
Document #: 38-05232 Rev. *B  
Revised October 10, 2002  
1234567...11

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY7C1011CV33-10ZCT CYPRESS

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