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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TSOP |
| 包装说明： | 8 X 13.40 MM, TSOP1-28 | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.39 |
| 最长访问时间： | 70 ns | 其他特性： | AUTOMATIC POWER-DOWN |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G28 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 11.8 mm | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 32KX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP1 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.55 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 8 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CY62256VLL-70ZRE | CYPRESS |
获取价格 |
32K x 8 Static RAM |
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| CY62256VLL-70ZRET | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, REVERSE, TSOP1-28 |
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| CY62256VLL-70ZRI | CYPRESS |
获取价格 |
32K x 8 Static RAM |
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| CY62256VLL-70ZRI | ROCHESTER |
获取价格 |
32KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, REVERSE, TSOP1-28 |
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| CY62256VLL-70ZRIT | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, REVERSE, TSOP1-28 |
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| CY62256VLL-70ZRXE | ROCHESTER |
获取价格 |
32KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, LEAD FREE, REVERSE, TSOP1-28 |
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| CY62256VLL-70ZRXE | CYPRESS |
获取价格 |
256K (32K x 8) Static RAM |
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| CY62256VLL-70ZRXET | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, LEAD FREE, REVERSE, TSOP1-28 |
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| CY62256VLL-70ZRXI | CYPRESS |
获取价格 |
256K (32K x 8) Static RAM |
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| CY62256VLL-70ZRXIT | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, LEAD FREE, REVERSE, TSOP1-28 |
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