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CY62256VLL-70ZRXE

更新时间： 2024-09-14 21:09:47

品牌	Logo	应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
13页	1103K
描述
32KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, LEAD FREE, REVERSE, TSOP1-28

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CY62256VLL-70ZRXE 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	8 X 13.40 MM, LEAD FREE, REVERSE, TSOP1-28	针数：	28
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.63
最长访问时间：	70 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-G28
JESD-609代码：	e3/e4	长度：	11.8 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	32KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1-R
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	COMMERCIAL	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	MATTE TIN/NICKEL PALLADIUM GOLD	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.55 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CY62256VLL-70ZRXET	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, LEAD FREE, REVERSE, TSOP1-28
CY62256VLL-70ZRXI	CYPRESS	获取价格	256K (32K x 8) Static RAM
CY62256VLL-70ZRXIT	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, LEAD FREE, REVERSE, TSOP1-28
CY62256VLL-70ZXC	CYPRESS	获取价格	256K (32K x 8) Static RAM
CY62256VLL-70ZXC	ROCHESTER	获取价格	32KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, LEAD FREE, TSOP1-28
CY62256VLL-70ZXE	CYPRESS	获取价格	256K (32K x 8) Static RAM
CY62256VLL-70ZXE	ROCHESTER	获取价格	32KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, LEAD FREE, TSOP1-28
CY62256VLL-70ZXI	CYPRESS	获取价格	256K (32K x 8) Static RAM
CY62256VLL-70ZXI	ROCHESTER	获取价格	32KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, LEAD FREE, TSOP1-28
CY62256VLL-70ZXIT	ROCHESTER	获取价格	32KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, LEAD FREE, TSOP1-28