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CY62146ESL-45ZSXIT PDF预览

CY62146ESL-45ZSXIT

更新时间： 2024-11-06 21:13:23
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 343K
描述
Standard SRAM, 256KX16, 45ns, CMOS, PDSO44, LEAD FREE, TSOP2-44

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CY62146ESL-45ZSXIT 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：TSOP2, TSOP44,.46,32
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.48
最长访问时间：45 ns其他特性：IT CAN ALSO OPERATES WITH 4.5V TO 5.5V SUPPLY
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G44
JESD-609代码：e4长度：18.415 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：16湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：44
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256KX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP44,.46,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：2.5/5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.194 mm最大待机电流：0.000007 A
最小待机电流：1.5 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.02 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.2 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

CY62146ESL-45ZSXIT 数据手册

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CY62146ESL MoBL®  
4-Mbit (256K × 16) Static RAM  
4-Mbit (256K  
× 16) Static RAM  
Features  
Functional Description  
■ Very high speed: 45 ns  
The CY62146ESL is a high performance CMOS static RAM  
organized as 256K words by 16 bits. This device features  
advanced circuit design to provide ultra low active current. This  
is ideal for providing More Battery Life(MoBL®) in portable  
applications such as cellular telephones. The device also has an  
automatic power down feature that reduces power consumption  
when addresses are not toggling. Placing the device into standby  
mode reduces power consumption by more than 99% when  
deselected (CE HIGH). The input and output pins (I/O0 through  
I/O15) are placed in a high impedance state when the device is  
deselected (CE HIGH), the outputs are disabled (OE HIGH),  
both Byte High Enable and Byte Low Enable are disabled (BHE,  
BLE HIGH) or during a write operation (CE LOW and WE LOW).  
■ Wide voltage range: 2.2 V to 3.6 V and 4.5 V to 5.5 V  
■ Ultra low standby power  
❐ Typical Standby current: 1 A  
❐ Maximum Standby current: 7 A  
■ Ultra low active power  
❐ Typical active current: 2 mA at f = 1 MHz  
■ Easy memory expansion with CE and OE features  
■ Automatic power down when deselected  
■ Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) for  
optimum speed and power  
To write to the device, take Chip Enable (CE) and Write Enable  
(WE) inputs LOW. If Byte Low Enable (BLE) is LOW, then data  
from I/O pins (I/O0 through I/O7) is written into the location  
specified on the address pins (A0 through A17). If Byte High  
Enable (BHE) is LOW, then data from I/O pins (I/O8 through  
I/O15) is written into the location specified on the address pins  
(A0 through A17).  
■ Available in Pb-free 44-pin thin small outline package (TSOP) II  
package  
To read from the device, take Chip Enable (CE) and Output  
Enable (OE) LOW while forcing the Write Enable (WE) HIGH. If  
Byte Low Enable (BLE) is LOW, then data from the memory  
location specified by the address pins appears on I/O0 to I/O7. If  
Byte High Enable (BHE) is LOW, then data from memory  
appears on I/O8 to I/O15. See the Truth Table on page 11 for a  
complete description of read and write modes.  
For a complete list of related documentation, click here.  
Logic Block Diagram  
DATA IN DRIVERS  
A
10  
9
A
A
A
8
7
6
5
4
A
A
A
256K × 16  
RAM Array  
I/O –I/O  
0
7
A
A
A
A
3
2
1
0
I/O –I/O  
8
15  
COLUMN DECODER  
BHE  
WE  
CE  
OE  
BLE  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document Number: 001-43142 Rev. *H  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised December 4, 2017  
 
1234567...16

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CY62146ESL-45ZSXIT 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CY62146ESL-45ZSXI CYPRESS

完全替代

 4-Mbit (256K x 16) Static RAM
FM24CL16B-GTR CYPRESS

功能相似

 16Kb Serial 3V F-RAM Memory

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY62146EV30 CYPRESS

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