Datasheet > CY14B512Q1A-SXI

CY14B512Q1A-SXI

更新时间： 2024-09-13 12:50:27

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		静态存储器
页数	文件大小	规格书
32页	1515K
描述
512-Kbit (64 K Ã 8) SPI nvSRAM

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CY14B512Q1A-SXI 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SOP, SOP8,.25	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	5.75
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e4
长度：	4.889 mm	内存密度：	524288 bit
内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	64KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP8,.25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3/3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.727 mm	最大待机电流：	0.00015 A
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	3.8985 mm
Base Number Matches：	1

CY14B512Q1A-SXI 数据手册

CY14C512Q

CY14B512Q

CY14E512Q

512-Kbit (64 K × 8) SPI nvSRAM

512-Kbit (64

K × 8) SPI nvSRAM

■ Industry standard configurations

❐ Operating voltages:

Features

■ 512-Kbit nonvolatile static random access memory (nvSRAM)

• CY14C512Q: V_CC= 2.4 V to 2.6 V

• CY14B512Q: V_CC= 2.7 V to 3.6 V

• CY14E512Q: V_CC= 4.5 V to 5.5 V

❐ Industrial temperature

❐ 8- and 16-pin small outline integrated circuit (SOIC) package

❐ Restriction of hazardous substances (RoHS) compliant

internally organized as 64 K × 8

❐ STORE to QuantumTrap nonvolatile elements initiated

automatically on power-down (AutoStore) or by using SPI

instruction (Software STORE) or HSB pin (Hardware

STORE)

❐ RECALL to SRAM initiated on power-up (Power-Up

RECALL) or by SPI instruction (Software RECALL)

Functional Overview

❐ Support automatic STORE on power-down with a small

capacitor (except for CY14X512Q1A)

The Cypress CY14X512Q combines a 512-Kbit nvSRAM^[1]with

a nonvolatile element in each memory cell with serial SPI

interface. The memory is organized as 64 K words of 8 bits each.

The embedded nonvolatile elements incorporate the

QuantumTrap technology, creating the world’s most reliable

nonvolatile memory. The SRAM provides infinite read and write

cycles, while the QuantumTrap cells provide highly reliable

nonvolatile storage of data. Data transfers from SRAM to the

nonvolatile elements (STORE operation) takes place automati-

cally at power-down (except for CY14X512Q1A). On power-up,

data is restored to the SRAM from the nonvolatile memory

(RECALL operation). You can also initiate the STORE and

RECALL operations through SPI instruction.

■ High reliability

❐ Infinite read, write, and RECALL cycles

❐ 1million STORE cycles to QuantumTrap

❐ Data retention: 20 years at 85 C

■ 40-MHz, and 104-MHz High-speed serial peripheral interface

(SPI)

❐ 40-MHz clock rate SPI write and read with zero cycle delay

❐ 104-MHz clock rate SPI write and SPI read (with special fast

read instructions)

❐ Supports SPI mode 0 (0,0) and mode 3 (1,1)

■ SPI access to special functions

❐ Nonvolatile STORE/RECALL

❐ 8-byte serial number

Configuration

Feature CY14X512Q1A CY14X512Q2A CY14X512Q3A

❐ Manufacturer ID and Product ID

❐ Sleep mode

AutoStore

Yes

■ Write protection

Software

STORE

Yes

❐ Hardware protection using Write Protect (WP) pin

❐ Software protection using Write Disable instruction

❐ Software block protection for 1/4, 1/2, or entire array

Hardware

STORE

Yes

■ Low power consumption

❐ Average active current of 3 mA at 40 MHz operation

❐ Average standby mode current of 150 A

❐ Sleep mode current of 8 A

Logic Block Diagram

V_CCV_CAP

Serial Number

8 x 8

Power Control

Block

Manufacturer ID /

Product ID

QuantumTrap

64 K x 8

SLEEP

STORE

SRAM

64 K x 8

RDSN/WRSN/RDID

READ/WRITE

STORE/RECALL/ASENB/ASDISB

Memory

Data &

Address

Control

RECALL

SPI Control Logic

Write Protection

Instruction decoder

SCK

WRSR/RDSR/WREN

Status Register

Note

1. This device will be referred to as nvSRAM throughout the document.

Cypress Semiconductor Corporation

Document Number: 001-65267 Rev. *D

•

198 Champion Court

•

San Jose, CA 95134-1709

•

408-943-2600

Revised July 24, 2012

12 3 4 5 6 7...32

中文翻译

下载PDF

CY14B512Q1A-SXI 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
CY14B512Q2A-SXI	CYPRESS	类似代替	512-Kbit (64 K x 8) SPI nvSRAM Infinite read, write, and RECALL cycles
CY14B512J2-SXI	CYPRESS	类似代替	512-Kbit (64 K x 8) Serial (I2C) nvSRAM Infinite read, write, and RECALL cycles

与CY14B512Q1A-SXI相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CY14B512Q1A-SXIT	CYPRESS	获取价格	512-Kbit (64 K Ã 8) SPI nvSRAM
CY14B512Q2	CYPRESS	获取价格	512-Kbit (64 K × 8) Serial (SPI) nvSRAM
CY14B512Q2A-SXI	CYPRESS	获取价格	512-Kbit (64 K x 8) SPI nvSRAM Infinite read, write, and RECALL cycles
CY14B512Q2A-SXI	INFINEON	获取价格	nvSRAM (non-volatile SRAM)
CY14B512Q2A-SXIT	CYPRESS	获取价格	512-Kbit (64 K x 8) SPI nvSRAM Infinite read, write, and RECALL cycles
CY14B512Q2A-SXIT	INFINEON	获取价格	nvSRAM (non-volatile SRAM)
CY14B512Q2-LHXI	CYPRESS	获取价格	512-Kbit (64 K × 8) Serial (SPI) nvSRAM
CY14B512Q3	CYPRESS	获取价格	512-Kbit (64 K × 8) Serial (SPI) nvSRAM
CY14BP	CRYSTEKMICROWAVE	获取价格	Quartz Crystal Leaded HC49 Crystal
CY14BPS	CRYSTEKMICROWAVE	获取价格	Quartz Crystal Low Profile HC49S Leaded Crystal

与CY14B512Q1A-SXI相关文章

SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

78
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

69
Pickering新高压舌簧继电器亮相汽车测试博览会
2024-08-26

100
采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
2024-08-23

114

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

CY14B512Q1A-SXI

CY14B512Q1A-SXI 技术参数

CY14B512Q1A-SXI 数据手册

CY14B512Q1A-SXI 替代型号

与CY14B512Q1A-SXI相关器件

与CY14B512Q1A-SXI相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

CY14B512Q1A-SXI

CY14B512Q1A-SXI 技术参数

CY14B512Q1A-SXI 数据手册

CY14B512Q1A-SXI 替代型号

与CY14B512Q1A-SXI相关器件

与CY14B512Q1A-SXI相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？