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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Contact Manufacturer | 零件包装代码： | SIP |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.7 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 30 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JEDEC-95代码： | TO-126 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 10 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 90 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CSD882QBULK | CDIL |
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暂无描述 |
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| CSD882R | CDIL |
获取价格 |
Audio Frequency Power Amplifier and Low Speed Switching Applications |
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| CSD882RBULK | CDIL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, |
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| CSD882RTUBE | CDIL |
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暂无描述 |
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| CSD88537ND | TI |
获取价格 |
CSD88537ND, Dual 60 V N-Channel NexFET Power MOSFETs |
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| CSD88537NDT | TI |
获取价格 |
CSD88537ND, Dual 60 V N-Channel NexFET Power MOSFETs |
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| CSD88539ND | TI |
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采用 SO-8 封装的双路、28mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET |
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| CSD88539NDT | TI |
获取价格 |
采用 SO-8 封装的双路、28mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET |
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| CSD88584Q5DC | TI |
获取价格 |
采用 5mm x 6mm SON 封装的 50A、40V、N 沟道同步降压 NexFET™ |
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| CSD88584Q5DCT | TI |
获取价格 |
采用 5mm x 6mm SON 封装的 50A、40V、N 沟道同步降压 NexFET™ |
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