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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> CSD880O
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CSD880O

更新时间： 2024-11-19 22:48:55
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CDIL 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
3页 186K
描述
Audio Frequency Power Amplifier Applications

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CSD880O 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Contact Manufacturer零件包装代码：SFM
包装说明：TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.28
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：60JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：30 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：3 MHzBase Number Matches：1

CSD880O 数据手册

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Continental Device India Limited  
An ISO/TS16949 and ISO 9001 Certified Company  
NPN SILICON POWER TRANSISTOR  
CSD880  
TO-220  
Audio Frequency Power Amplifier Applications.  
Complementary CSB834  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C)  
DESCRIPTION  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
VALUE  
UNIT  
V
V
V
A
Collector -Base Voltage  
Collector -Emitter Voltage  
Emitter- Base Voltage  
Collector Current  
60  
60  
7.0  
3.0  
Base Current  
IB  
0.5  
A
Power Dissipation @ Ta=25 deg C  
Power Dissipation @ Tc=25 deg C  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
PC  
1.5  
30  
150  
-55 to +150  
W
W
deg C  
deg C  
Tj  
Tstg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 deg C Unless otherwise Specified)  
DESCRIPTION  
SYMBOL  
ICBO  
IEBO  
VCEO  
hFE  
VCE(Sat)  
VBE(on)  
TEST CONDITION  
VCB=60V, IE=0  
VEB=7V, IC=0  
IC=50mA, IB=0  
IC=0.5A, VCE=5V  
IC=3A, IB=0.3A  
IC=0.5A, VCE=5V  
MIN  
-
-
60  
60  
-
TYP MAX  
UNIT  
uA  
uA  
Collector Cut off Current  
Emitter Cut off Current  
Collector Emitter Voltage  
DC Current Gain  
Collector Emitter Saturation Voltage  
Base Emitter on Voltage  
Dynamic Characteristics  
Transition Frequency  
-
-
-
-
-
-
100  
100  
-
300  
1.0  
1.0  
V
V
V
-
ft  
Cob  
VCE=5V,IC=0.5A,  
VCB=10V, IE=0  
f=1MHz  
-
-
3.0  
70  
-
-
MHz  
pF  
Collector Output Capacitance  
Switching Time  
Turn-0n Time  
Storage Time  
Fall Time  
ton  
tstg  
tf  
VCC=30V,  
-
-
-
0.8  
1.5  
0.8  
-
-
-
us  
us  
us  
IB1=IB2=0.2A,  
Pulse Width=20us  
Duty Cycle=1%  
hFE CLASSIFICATION:-  
O : 60 -120, Y : 100 -200,  
GR : 150-300  
Continental Device India Limited  
Page 1 of 3  
Data Sheet  
123

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