是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.39.00.01 | Factory Lead Time: | 6 weeks |
风险等级: | 1.71 | 模拟集成电路 - 其他类型: | SWITCHING REGULATOR |
控制技术: | PULSE WIDTH MODULATION | 最大输入电压: | 24 V |
标称输入电压: | 12 V | JESD-30 代码: | R-PXSS-X5 |
JESD-609代码: | e4 | 长度: | 3 mm |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 5 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 最大输出电流: | 40 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SPECIAL SHAPE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
座面最大高度: | 0.48 mm | 表面贴装: | NO |
切换器配置: | BUCK | 最大切换频率: | 1500 kHz |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式: | UNSPECIFIED | 端子位置: | UNSPECIFIED |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 2.5 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CSD87384M | TI |
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Synchronous Buck NexFET Power Block II | |
CSD87384MT | TI |
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暂无描述 | |
CSD87501L | TI |
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CSD87501L 30 V Dual Common Drain N-Channel NexFET Power MOSFET | |
CSD87501L_15 | TI |
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CSD87501L 30 V Dual Common Drain N-Channel NexFET Power MOSFET | |
CSD87501LT | TI |
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CSD87501L 30 V Dual Common Drain N-Channel NexFET Power MOSFET | |
CSD87502Q2 | TI |
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采用 2mm x 2mm SON 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、42mΩ、30V、N | |
CSD87502Q2T | TI |
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采用 2mm x 2mm SON 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、42mΩ、30V、N | |
CSD87503Q3E | TI |
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采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、21.9mΩ、30V、N 沟道 Nex | |
CSD87503Q3ET | TI |
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采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、21.9mΩ、30V、N 沟道 Nex | |
CSD87588N | TI |
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Synchronous Buck NexFET Power Block II |