是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | LGA-5 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | Factory Lead Time: | 12 weeks |
风险等级: | 1.09 | 雪崩能效等级(Eas): | 231 mJ |
配置: | COMPLEX | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏源导通电阻: | 0.0089 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss): | 114 pF | JESD-30 代码: | R-PBGA-N5 |
JESD-609代码: | e4 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 5 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 8 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 95 A |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
CSD87384MT | TI |
功能相似 |
暂无描述 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CSD87384MT | TI |
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暂无描述 | |
CSD87501L | TI |
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CSD87501L 30 V Dual Common Drain N-Channel NexFET Power MOSFET | |
CSD87501L_15 | TI |
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CSD87501L 30 V Dual Common Drain N-Channel NexFET Power MOSFET | |
CSD87501LT | TI |
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CSD87501L 30 V Dual Common Drain N-Channel NexFET Power MOSFET | |
CSD87502Q2 | TI |
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采用 2mm x 2mm SON 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、42mΩ、30V、N | |
CSD87502Q2T | TI |
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采用 2mm x 2mm SON 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、42mΩ、30V、N | |
CSD87503Q3E | TI |
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采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、21.9mΩ、30V、N 沟道 Nex | |
CSD87503Q3ET | TI |
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采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、21.9mΩ、30V、N 沟道 Nex | |
CSD87588N | TI |
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Synchronous Buck NexFET Power Block II | |
CSD87588N_15 | TI |
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CSD87588N Synchronous Buck NexFET Power Block II |