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CSD87501LT

更新时间： 2024-11-21 01:10:51
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 896K
描述
CSD87501L 30 V Dual Common Drain N-Channel NexFET Power MOSFET

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CSD87501LT 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：GRID ARRAY, R-XBGA-N10
Reach Compliance Code：compliantFactory Lead Time：6 weeks
风险等级：1.67配置：COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：198 pF
JESD-30 代码：R-XBGA-N10湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：10
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

CSD87501LT 数据手册

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CSD87501L  
SLPS523A –FEBRUARY 2015–REVISED APRIL 2015  
CSD87501L 30 V Dual Common Drain N-Channel NexFET™ Power MOSFET  
1 Features  
Product Summary  
1
•
Low On-Resistance  
Small Footprint of 3.37 × 1.47 mm  
Ultra-Low Profile – 0.2 mm High  
Pb-Free  
TA = 25°C  
VS1S2  
Qg  
TYPICAL VALUE  
UNIT  
V
•
•
•
•
•
•
Source-to-Source Voltage  
Gate Charge Total (4.5 V)  
Gate Charge Gate-to-Drain  
30  
15  
nC  
nC  
mΩ  
mΩ  
V
Qgd  
6.0  
VGS = 4.5 V  
VGS = 10 V  
1.8  
9.3  
6.6  
RoHS Compliant  
Source-to-Source On-  
Resistance  
RS1S2(on)  
VGS(th)  
Halogen Free  
Threshold Voltage  
Gate ESD Protection  
.
2 Applications  
Ordering Information(1)  
•
•
•
Battery Management  
Battery Protection  
USB Type-C /PD  
Device  
Media  
Qty  
Package  
Ship  
CSD87501L  
7-Inch Reel  
3000  
3.37 mm X 1.47 mm  
Land Grid Array  
Package  
Tape and  
Reel  
CSD87501LT 7-Inch Reel  
250  
(1) For all available packages, see the orderable addendum at  
the end of the data sheet.  
3 Description  
This 30 V, 6.6 mΩ, 3.37 mm × 1.47 mm LGA Dual  
NexFET™ power MOSFET is designed to minimize  
resistance and gate charge in a small footprint. Its  
small size and common drain configuration make the  
device ideal for multi-cell battery pack applications  
and small handheld devices.  
Absolute Maximum Ratings  
TA = 25°C  
VALUE  
UNIT  
V
VS1S2 Source-to-Source Voltage  
30  
VGS  
IS  
Gate-to-Source Voltage  
Continuous Source Current(1)  
±20  
14  
V
A
(2)  
ISM  
PD  
Pulsed Source Current  
72  
A
Top View  
Power Dissipation  
2.5  
W
V(ESD)  
Rating  
Human Body Model (HBM)  
2
kV  
°C  
S1  
S2  
S1  
S2  
G1  
G2  
S1  
S2  
S1  
S2  
TJ,  
Tstg  
Operating Junction and  
Storage Temperature Range  
–55 to 150  
(1) Typical RθJA = 50°C/W on a 1 inch2, 2 oz. Cu pad on a 0.06  
inch thick FR4 PCB.  
.
(2) Typical min Cu RθJA = 135°C/W, pulse duration ≤100 μs, duty  
cycle ≤1%.  
Configuration  
Source 1  
Source 2  
Gate 1  
Gate 2  
RS1S2(on) vs VGS  
Gate Charge  
24  
21  
18  
15  
12  
9
10  
TC = 25°C, I S = 7 A  
TC = 125°C, I S = 7 A  
IS = 7 A, VS1S2 = 15 V  
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
6
3
0
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
20  
0
4
8
12  
16  
20  
24  
28  
32  
VGS - Gate-to-Source Voltage (V)  
Qg - Gate Charge (nC)  
D007  
D004  
1
An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,  
intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.  
 
 
 
 
 
 
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CSD87501LT 替代型号

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