Datasheet > CSD87502Q2T

CSD87502Q2T

更新时间： 2024-11-21 11:12:35

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		局域网栅开关脉冲光电二极管晶体管栅极
页数	文件大小	规格书
14页	822K
描述
采用 2mm x 2mm SON 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、42mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET \| DQK \| 6 \| -55 to 150

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CSD87502Q2T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	12 weeks
风险等级：	1.66	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	3.1 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	5 A	最大漏源导通电阻：	0.06 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	29 pF
JESD-30 代码：	S-PDSO-N6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	23 A	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

CSD87502Q2T 数据手册

Sample &

Buy

Support &

Community

Product

Folder

Tools &

Software

Technical

Documents

CSD87502Q2

ZHCSEH7 –DECEMBER 2015

CSD87502Q2 30V 双路 N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

1 特性

产品概要

•

低导通电阻

T_A=25°C

V_DS

典型值

单位

两个独立的金属氧化物半导体场效应晶体管

(MOSFET)

漏源电压

Q_g

栅极电荷总量 (4.5V)

栅极电荷栅极到漏极

2.2

mΩ

•

节省空间的小外形尺寸无引线 (SON) 2mm × 2mm

塑料封装

Q_gd

0.5

V_GS= 3.8V

42.0

35.5

27.0

•

针对 5V 栅极驱动器而优化

雪崩级

R_DS(on)漏源导通电阻

V_GS= 4.5V

V_GS= 10V

V_GS(th)

阈值电压

1.6

无铅且无卤素

符合 RoHS 环保标准

订购信息⁽¹⁾

2 应用范围

器件

包装介质

数量

封装

运输

卷带封装

•

用于网络互联、电信和计算系统的负载点同步降

压转换器

CSD87502Q2

CSD87502Q2T

7 英寸卷带

3000

SON 2mm x

2mm

塑料封装

250

针对笔记本个人电脑 (PC) 和平板电脑的适配器或

USB 输入保护

(1) 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。

电池保护

绝对最大额定值

T_A= 25°C

值

单位

3 说明

V_DS

V_GS

I_D

漏源电压

栅源电压

±20

5.0

CSD87502Q2 是一款 30V、27mΩ N 沟道器件。它具

有两个独立的 MOSFET，采用 2mm x 2mm SON 塑

料封装。这两个场效应管 (FET) 采用半桥配置，适用

于同步降压等电源应用。此外，这些 NexFET™功率

MOSFET 还可用于适配器、USB 输入保护和电池充电

应用。两个 FET 的漏源导通电阻均较低，可最大限度

地降低损耗并减少元件数，非常适合空间受限型应

用。

持续漏极电流（受封装限制）

脉冲漏极电流⁽¹⁾

功率耗散⁽²⁾

I_DM

P_D

2.3

T_J，工作结温，

-55 至 150

°C

T_stg

储存温度

雪崩能量，单一脉冲

I_D= 7.9A，L = 0.1mH，R_G= 25Ω

E_AS

3.1

(1) 最大 R_θJA= 185°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤

1%。

(2) R_θJA= 55°C/W，这是在厚度为 0.06 英寸的环氧板 (FR4) 印刷

电路板 (PCB) 上的 1 英寸²2 盎司的铜过渡垫片上测得的典型

值。

顶视图和电路图

5rain

Date

{ource

R_DS(on)与 V_GS间的关系

栅极电荷

T_C= 25°C, I _D= 4 A

T_C= 125°C, I _D= 4 A

I_D= 4 A

V_DS= 15 V

0.5

1.5

2.5

3.5

4.5

V_GS- Gate-to-Source Voltage (V)

Q_g- Gate Charge (nC)

D007

D004

An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,

intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.

English Data Sheet: SLPS560

12 3 4 5 6 7...14

中文翻译

下载PDF

CSD87502Q2T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
CSD87502Q2	TI	类似代替	采用 2mm x 2mm SON 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、42mΩ、30V、N

与CSD87502Q2T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CSD87503Q3E	TI	获取价格	采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、21.9mΩ、30V、N 沟道 Nex
CSD87503Q3ET	TI	获取价格	采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、21.9mΩ、30V、N 沟道 Nex
CSD87588N	TI	获取价格	Synchronous Buck NexFET Power Block II
CSD87588N_15	TI	获取价格	CSD87588N Synchronous Buck NexFET Power Block II
CSD87588NT	TI	获取价格	CSD87588N Synchronous Buck NexFET Power Block II
CSD880	CDIL	获取价格	Audio Frequency Power Amplifier Applications
CSD880GR	CDIL	获取价格	Audio Frequency Power Amplifier Applications
CSD880O	CDIL	获取价格	Audio Frequency Power Amplifier Applications
CSD880Y	CDIL	获取价格	Audio Frequency Power Amplifier Applications
CSD882	CDIL	获取价格	Audio Frequency Power Amplifier and Low Speed Switching Applications

与CSD87502Q2T相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

24
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

16
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

48
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

CSD87502Q2T

CSD87502Q2T 技术参数

CSD87502Q2T 数据手册

CSD87502Q2T 替代型号

与CSD87502Q2T相关器件

与CSD87502Q2T相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

CSD87502Q2T

CSD87502Q2T 技术参数

CSD87502Q2T 数据手册

CSD87502Q2T 替代型号

与CSD87502Q2T相关器件

与CSD87502Q2T相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？