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CSD87355Q5DT

更新时间： 2024-11-21 11:15:11
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德州仪器 - TI /
页数 文件大小 规格书
24页 988K
描述
采用 5mm x 6mm SON 封装的 45A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 | DQY | 8 | -55 to 150

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CSD87355Q5DT 数据手册

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CSD87355Q5D  
ZHCSEU6A –MARCH 2016–REVISED SEPTEMBER 2017  
CSD87355Q5D 同步降压 NexFET™电源块  
1 特性  
3 说明  
1
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
半桥电源块  
CSD87355Q5D NexFET™电源块是面向同步降压 应  
用 的优化设计方案，能够以 5mm × 6mm 的小巧外形  
提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V  
栅极驱动 应用进行了优化，在与外部控制器/驱动器的  
任一 5V 栅极驱动配套使用时，可提供一套灵活的解决  
方案来实现高密度电源。  
25A 电流时系统效率达 92.5%  
工作电流高达 45A  
高频工作（高达 1.5MHz）  
高密度 SON 5mm × 6mm 封装  
针对 5V 栅极驱动进行了优化  
低开关损耗  
增加文本，调节间距  
顶视图  
超低电感封装  
符合 RoHS 标准  
VIN  
VIN  
TG  
VSW  
VSW  
VSW  
1
2
3
4
8
7
6
5
无卤素  
无铅引脚镀层  
PGND  
(Pin 9)  
2 应用范围  
TGR  
BG  
•
同步降压转换器  
P0116-01  
–
–
高频 应用  
.
高电流、低占空比 应用  
订购信息(1)  
数量  
•
•
•
多相位同步降压转换器  
器件  
介质  
封装  
出货  
卷带  
负载点 (POL) 直流 - 直流转换器  
CSD87355Q5D  
13 英寸卷带 2500 5mm x 6mm 小外形  
尺寸无引线 (SON)  
IMVP、VRM 和 VRD 电感式触控不锈钢键盘参考  
设计  
CSD87355Q5DT  
7 英寸卷带  
250  
塑料封装  
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅产品说明书末尾的可订购产品  
附录。  
增加文本，调节间距  
增加文本，调节间距  
增加文本，调节间距  
典型电路  
典型电源块效率与功率损耗  
96  
94  
92  
90  
88  
86  
84  
82  
80  
78  
76  
74  
11  
10  
9
VIN  
BOOT  
DRVH  
VDD  
VDD  
GND  
VIN  
Control  
FET  
TG  
8
VSW  
TGR  
VOUT  
7
LL  
VGS = 5 V  
ENABLE  
PWM  
ENABLE  
PWM  
V
IN = 12 V  
6
Sync  
FET  
VOUT = 1.3 V  
BG  
DRVL  
5
LOUT = 0.29  
SW = 500 kHz  
TA = 25  
mH  
PGND  
f
CSD87355Q5D  
4
Driver IC  
èC  
3
2
1
0
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
40  
45  
Output Current (A)  
D000  
1
An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,  
intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.  
English Data Sheet: SLPS575  
 
 
 
1234567...24

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CSD87355Q5DT 替代型号

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