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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> CSD87312Q3E
CSD87312Q3E PDF预览

CSD87312Q3E

更新时间： 2024-11-20 12:51:43
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
12页 789K
描述
Dual 30-V N-Channel NexFET Power MOSFETs

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CSD87312Q3E 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：VSON-8
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95Factory Lead Time：6 weeks
风险等级：1.13Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：29 mJ
外壳连接：SOURCE配置：COMPLEX
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：27 A
最大漏极电流 (ID)：27 A最大漏源导通电阻：0.038 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：16 pF
JESD-30 代码：S-PDSO-N8JESD-609代码：e4
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：7工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：45 A子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

CSD87312Q3E 数据手册

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CSD87312Q3E  
www.ti.com  
SLPS333 –NOVEMBER 2012  
Dual 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs  
.
1
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
•
•
Common Source Connection  
TA = 25°C  
VDS  
TYPICAL VALUE  
UNIT  
V
Ultra Low Drain to Drain On-Resistance  
Drain to Source Voltage  
Gate Charge Total (4.5V)  
Gate Charge Gate to Drain  
30  
6.3  
0.7  
Space Saving SON 3.3 x 3.3mm Plastic  
Package  
Qg  
nC  
nC  
mΩ  
mΩ  
V
Qgd  
VGS = 4.5V  
VGS = 8V  
31  
27  
•
•
•
•
•
•
Optimized for 5V Gate Drive  
Low Thermal Resistance  
Avalanche Rated  
Drain to Drain On Resistance  
(Q1+Q2)  
RDD(on)  
VGS(th)  
Threshold Voltage  
1.0  
Pb Free Terminal Plating  
RoHS Compliant  
ORDERING INFORMATION  
Device  
Package  
Media  
Qty  
Ship  
Halogen Free  
SON 3.3 x 3.3mm  
Plastic Package  
13-Inch  
Reel  
Tape and  
Reel  
CSD87312Q3E  
2500  
APPLICATIONS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
•
Adaptor/USB Input Protection for Notebook  
PCs and Tablets  
TA = 25°C  
VALUE  
UNIT  
V
VDS  
VGS  
ID  
Drain to Source Voltage  
30  
+10/-8  
27  
Gate to Source Voltage  
V
DESCRIPTION  
Continuous Drain Current, TC = 25°C(1)  
Pulsed Drain Current (2)  
A
The CSD87312Q3E is a 30V common-source, dual  
N-channel device designed for adaptor/USB input  
protection. This SON 3.3 x 3.3mm device has low  
drain to drain on-resistance that minimizes losses and  
offers low component count for space constrained  
multi-cell battery charging applications.  
IDM  
PD  
45  
A
Power Dissipation  
2.5  
W
TJ,  
Operating Junction and Storage  
TSTG Temperature Range  
–55 to 150  
29  
°C  
Avalanche Energy, single pulse  
ID = 24A, L = 0.1mH, RG = 25Ω  
EAS  
mJ  
(1) Typical R =63°C/W on 1in² (2 oz.) on 0.060" thick FR4PCB  
TEXT ADDED FOR SPACING  
Top View  
(2) Pulse duration ≤300μs, duty cycle ≤2%  
TEXT ADDED FOR SPACING  
VGS vs. RDDon  
D1  
D2  
D2  
D2  
G
D1  
D1  
D1  
S
60  
TC = 25°C Id = 7A  
TC = 125ºC Id = 7A  
55  
50  
45  
40  
35  
30  
25  
20  
TEXT ADDED FOR SPACING  
Circuit Image  
0
2
4
6
8
10  
VGS - Gate-to- Source Voltage (V)  
G001  
1
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
Copyright © 2012, Texas Instruments Incorporated  
 
 
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CSD87313DMS TI

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