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CSD87335Q3DT

更新时间： 2024-11-21 11:15:35
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
23页 850K
描述
采用 3mm x 3mm SON 封装的 25A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 | DQZ | 8 | -55 to 150

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CSD87335Q3DT 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：HLSSOP,
Reach Compliance Code：not_compliantFactory Lead Time：6 weeks
风险等级：1.7模拟集成电路 - 其他类型：SWITCHING CONTROLLER
控制技术：PULSE WIDTH MODULATION最大输入电压：27 V
标称输入电压：12 VJESD-30 代码：S-PDSO-G8
JESD-609代码：e3长度：3.2 mm
湿度敏感等级：1功能数量：1
端子数量：8最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：HLSSOP封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, LOW PROFILE, SHRINK PITCH峰值回流温度（摄氏度）：260
座面最大高度：1.5 mm最大供电电流 (Isup)：20 mA
表面贴装：YES切换器配置：BUCK
最大切换频率：1500 kHz温度等级：MILITARY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：3.2 mm
Base Number Matches：1

CSD87335Q3DT 数据手册

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CSD87335Q3D  
ZHCSEO0B –FEBRUARY 2016–REVISED APRIL 2018  
CSD87335Q3D 同步降压 NexFET™ 电源块  
1 特性  
3 说明  
1
•
•
•
•
•
•
半桥电源块  
CSD87335Q3D NexFET™电源块是面向同步降压 应  
用 的优化设计方案，能够以 3.3mm × 3.3mm 的小巧  
外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对  
5V 栅极驱动 应用进行了优化，可提供一套灵活的解决  
方案，在与来自外部控制器或驱动器的任一 5V 栅极驱  
动配套使用时，均可提供高密度电源。  
VIN 高达 27V  
15A 电流时系统效率达 93.5%  
工作电流高达 25A  
高频工作（高达 1.5MHz）  
高密度小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm  
封装  
俯视图  
•
•
•
•
•
•
针对 5V 栅极驱动进行了优化  
开关损耗较低  
VIN  
VIN  
TG  
VSW  
VSW  
VSW  
1
2
3
4
8
7
6
5
超低电感封装  
符合 RoHS 标准  
无卤素  
PGND  
(Pin 9)  
无铅引脚镀层  
TGR  
BG  
2 应用  
P0116-01  
•
同步降压转换器  
–
–
高频 应用  
器件信息(1)  
数量  
高电流、低占空比 应用  
器件  
介质  
封装  
发货  
•
•
•
多相位同步降压转换器  
CSD87335Q3D  
CSD87335Q3DT  
13 英寸卷带  
7 英寸卷带  
2500  
250  
SON  
3.30mm × 3.30mm  
塑料封装  
卷带封  
装
负载点 (POL) 直流/直流转换器  
IMVP、VRM 和 VRD 应用  
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附  
录。  
典型电路  
典型电源块效率与功率损耗  
100  
90  
6
VIN  
BOOT  
VDD  
VDD  
GND  
VIN  
TG  
Control  
FET  
DRVH  
TGR  
BG  
4.5  
3
VSW  
VOUT  
LL  
ENABLE  
PWM  
ENABLE  
PWM  
Sync  
FET  
VGS = 5 V  
VIN = 12 V  
80  
DRVL  
PGND  
V
OUT = 1.3 V  
LOUT = 950 nH  
SW = 500 kHz  
CSD87335Q3D  
Driver IC  
f
70  
1.5  
TA = 25èC  
Copyright © 2017, Texas Instruments Incorporated  
60  
0
0
5
10  
15  
20  
25  
Output Current (A)  
D000  
1
An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,  
intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.  
English Data Sheet: SLPS574  
 
 
 
1234567...23

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与CSD87335Q3DT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CSD87350Q5D TI

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 		Using the PWR091EVM Dual-Output DC/DC Analog With PMBus Interface
CSD87351Q5D TI

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 		Synchronous Buck NexFET? Power Block
CSD87351ZQ5D TI

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 		Synchronous Buck NexFET Power Block
CSD87352Q5D TI

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 		Synchronous Buck NexFET Power Block
CSD87352Q5D_1111 TI

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 		Synchronous Buck NexFET? Power Block
CSD87353Q5D TI

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 		Synchronous Buck NexFET™ Power Block
CSD87355Q5D TI

获取价格

 		采用 5mm x 6mm SON 封装的 45A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™
CSD87355Q5DT TI

获取价格

 		采用 5mm x 6mm SON 封装的 45A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™
CSD87381P TI

获取价格

 		Synchronous Buck NexFET™ Power Block II
CSD87381PT TI

获取价格

 		30V, Nch synchronous buck NexFET MOSFET™, 3x2.5 LGA, 15A 5-PTAB -55 to 150

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