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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 包装说明： | TO-92L, 3 PIN | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.8 | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 0.9 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.9 W |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz | VCEsat-Max： | 0.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CSD863F | CDIL |
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Transistor |
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| CSD87312Q3E | TI |
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Dual 30-V N-Channel NexFET Power MOSFETs |
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| CSD87313DMS | TI |
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采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共漏极、5.5mΩ、30V、N 沟道 NexF |
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| CSD87313DMST | TI |
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采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共漏极、5.5mΩ、30V、N 沟道 NexF |
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| CSD87330Q3D | TI |
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Synchronous Buck NexFET? Power Block |
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| CSD87331Q3D | TI |
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Synchronous Buck NexFET⢠Power Block |
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| CSD87333Q3D | TI |
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CSD87333Q3D Synchronous Buck NexFET⢠Power |
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| CSD87333Q3D_15 | TI |
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CSD87333Q3D Synchronous Buck NexFET⢠Power |
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| CSD87333Q3DT | TI |
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CSD87333Q3D Synchronous Buck NexFET⢠Power |
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| CSD87334Q3D | TI |
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CSD87334Q3D Synchronous Buck NexFET Power Block |
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