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CRST042N12N

更新时间： 2024-04-09 18:59:07

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TO-220

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CRST042N12N 数据手册

CRST042N12N,CRSS039N12N

华润微电子(重庆)有限公司

SkyMOS3ꢀNꢁMOSFETꢀ120V,ꢀ3.5mꢂ,ꢀ160A

Figꢀ8:ꢀBodyꢁdiodeꢀForward Characteristic

Figꢀ7:ꢀGateꢀChargeꢀCharacteristics

1000

V_DS=60V

I_D=80A

100

25˚C

150˚C

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

Qg (nC)

Figꢀ10:ꢀDrainꢀCurrentꢀDerating

Figꢀ9:ꢀPowerꢀDissipation

180

400

160

140

120

100

350

300

250

200

150

100

V_GS≥10V

100

125

150

100

125

150

175

Tc - Case Temperature (°C)

Figꢀ11:ꢀSafeꢀOperatingꢀArea

1000

100

1us

10us

Limited by Rds(on)

100us

1ms

10ms

Single pulse

Tc=25˚C

0.1

100

1000

V_DS(V)

©China Resources Microelectronics (Chongqing) Limited

Page 5

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