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CRST042N12N

更新时间： 2024-04-09 18:59:07

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TO-220

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CRST042N12N 数据手册

CRST042N12N,CRSS039N12N

华润微电子(重庆)有限公司

SkyMOS3ꢀNꢁMOSFETꢀ120V,ꢀ3.5mꢂ,ꢀ160A

Thermal Resistance

Parameter

Symbol

Max

0.37ꢀ

59.0

Unit

R_thJC

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀ–ꢀcase.

°C/W

R_thJA

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀ–ꢀambient(min.ꢀfootprint)

Electrical Characteristic (at Tj = 25 °C, unless otherwise specified)

Value

Symbol

Parameter

Unit

Test Condition

min.

typ.

max.

Static Characteristic

Drainꢁsourceꢀbreakdownꢀ

voltage

BV_DSS

V_GS=0V,ꢀI_D=250uA

V_DS=V_GS,I_D=250uA

120

2.0

ꢁ

V_GS(thꢀ)

Gateꢀthresholdꢀvoltage

3.0

4.0

_DS=120V,V_GS=0V

T_j=25°C

Zeroꢀgateꢀvoltageꢀdrainꢀ

current

I_DSS

ꢁ

ꢃA

T_j=125°C

100

Gateꢁsourceꢀleakageꢀ

current

I_GSS

V_GS=±20V,V_DS=0V

ꢁ

100

V_GS=10V,ꢀI_D=80A

ꢀꢀTOꢁ220

7.4ꢀ

4.2ꢀ

3.9

ꢁ

Drainꢁsourceꢀonꢁstateꢀ

resistance

R_DS(on)

ꢁ

3.5ꢀ

3.2

mꢂ

TOꢁ263

g_fs

V_DS=5V,I_D=80A

Transconductance

115.5

Dynamic Characteristic

InputꢀCapacitance

C_iss

ꢁ

5526

1503

ꢁ

V_GS=0V,ꢀV_DS=60V,ꢀ

f=1MHz

C_oss

OutputꢀCapacitance

ReverseꢀTransferꢀ

Capacitance

C_rss

ꢁ

34ꢀ

ꢁ

Q_G

Q_gs

Q_gd

t_d(on)

t_r

GateꢀTotalꢀCharge

GateꢁSourceꢀcharge

GateꢁDrainꢀcharge

Turnꢁonꢀdelayꢀtime

Riseꢀtime

ꢁ

75.3

33.5

13.5

20.2

109.1

55.0

104.1

ꢁ

VGS=10V,ꢀVDS=60V,ꢀ

ID=80A,ꢀf=1MHz

VDS=60V

ID=80A

RG=2.7ꢂ

VGS=10V;ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ

ꢂ

t_d(off)

t_f

Turnꢁoffꢀdelayꢀtime

Fallꢀtime

V_GS=0V,ꢀV_DS=0V,ꢀ

f=1MHz

R_G

Gateꢀresistance

ꢁ

4.0ꢀ

ꢁ

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