Datasheet > CRST065N08N

CRST065N08N

更新时间： 2024-03-03 10:08:50

品牌	Logo	应用领域
华润微 - CRMICRO		/
页数	文件大小	规格书
10页	598K
描述
TO-220

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CRST065N08N 数据手册

CRST065N08N,ꢀCRSS063N08N

SkyMOS1ꢀNꢁMOSFETꢀ85V,ꢀ5.6mꢂ,ꢀ80A

华润微电子(重庆)有限公司

Features

Product Summary

V_DS

85V

•ꢀUsesꢀCRM(CQ)ꢀadvancedꢀSkyMOS1ꢀtechnology

•ꢀExtremelyꢀlowꢀonꢁresistanceꢀR_DS(on)

•ꢀExcellentꢀQ_gxR_DS(on)ꢀproduct(FOM)

•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀcriteria

R_DS(on)

I_Dꢀ

5.6mꢂ

80A

Applications

•ꢀMotorꢀcontrolꢀandꢀdrive

•ꢀBatteryꢀmanagement

•ꢀUPSꢀ(UninterrupibleꢀPowerꢀSupplies)

100% Avalanche Tested

CRST065N08N

CRSS063N08N

Package Marking and Ordering Information

Partꢀ#

Marking

Package

TOꢁ220

TOꢁ263

ReelꢀSize

TapeꢀWidth

N/A

Qty

Packing

Tube

CRST065N08N

CRSS063N08N

N/A

50pcs

ꢁ

Tube

N/A

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

V_DS

Drainꢁsourceꢀvoltage

Continuousꢀdrainꢀcurrent

T_Cꢀ=ꢀ25°Cꢀ(Siliconꢀlimit)

T_Cꢀ=ꢀ25°Cꢀ(Packageꢀlimit)

T_Cꢀ=ꢀ100°Cꢀ(Siliconꢀlimit)

121ꢀ

I_D

77ꢀ

Pulsedꢀdrainꢀcurrentꢀ(T_Cꢀ=ꢀ25°C,ꢀt_pꢀlimitedꢀbyꢀT_jmax

)

I_Dꢀpulse

E_AS(Noteꢀ1)

V_GS

320ꢀ

110ꢀ

Avalancheꢀenergy,ꢀsingleꢀpulseꢀ(L=0.5mH,ꢀRg=25Ω)

GateꢁSourceꢀvoltage

±20

Powerꢀdissipationꢀ(T_Cꢀ=ꢀ25°C)

P_tot

164ꢀ

°C

T_jꢀ,ꢀT _stg

Operatingꢀjunctionꢀandꢀstorageꢀtemperature

ꢁ55...+150

※.ꢀNotes:1.EASꢀisꢀtestedꢀatꢀstartingꢀTjꢀ=ꢀ25℃,ꢀLꢀ=ꢀ0.5mH,ꢀIASꢀ=ꢀ21A,ꢀVGSꢀ=ꢀ10V.ꢀ

IAS(max)=42A;EAS(max)=441mJꢀunderꢀaboveꢀConditions;

©China Resources Microelectronics (Chongqing) Limited

Page 1

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

与CRST065N08N相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CRST065N09N	CRMICRO	获取价格	TO-220
CRST070N07N	CRMICRO	获取价格	TO-220
CRST072N12N	CRMICRO	获取价格	TO-220
CRST073N15NZ	CRMICRO	获取价格	TO-220
CRST074N10L2	CRMICRO	获取价格	TO-220
CRST100N06L2	CRMICRO	获取价格	TO-220
CRST113N20NZ	CRMICRO	获取价格	TO-220
CRST128N10L2	CRMICRO	获取价格	TO-220
CRST150N10N2	CRMICRO	获取价格	TO-220
CRST155N20N3	CRMICRO	获取价格	TO-220