Datasheet > CRST047N12N

CRST047N12N

更新时间： 2024-11-19 17:01:03

品牌	Logo	应用领域
华润微 - CRMICRO		/
页数	文件大小	规格书
10页	569K
描述
TO-220

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CRST047N12N 数据手册

CRST047N12N,CRSS044N12N

华润微电子(重庆)有限公司

SkyMOS1ꢀNꢁMOSFETꢀ120V,ꢀ3.9mꢂ,ꢀ160A

Features

Product Summary

V_DS

120V

•ꢀUsesꢀCRM(CQ)ꢀadvancedꢀSkyMOS1ꢀtechnology

•ꢀExtremelyꢀlowꢀonꢁresistanceꢀR_DS(on)

•ꢀExcellentꢀQ_gxR_DS(on)ꢀproduct(FOM)

•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀcriteria

R_DS(on)

I_Dꢀ

3.9mꢂ

160A

Applications

•ꢀMotorꢀcontrolꢀandꢀdrive

•ꢀBatteryꢀmanagement

•ꢀUPSꢀ(UninterrupibleꢀPowerꢀSupplies)

100% Avalanche Tested

CRST047N12N

CRSS044N12N

Package Marking and Ordering Information

Partꢀ#

Marking

Package

TOꢁ220

TOꢁ263

ReelꢀSize

TapeꢀWidth

N/A

Qty

Packing

Tube

CRST047N12N

CRSS044N12N

N/A

50pcs

ꢁ

Tube

N/A

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

V_DS

Drainꢁsourceꢀvoltage

120

Continuousꢀdrainꢀcurrent

T_Cꢀ=ꢀ25°Cꢀ(Siliconꢀlimit)

T_Cꢀ=ꢀ25°Cꢀ(Packageꢀlimit)

T_Cꢀ=ꢀ100°Cꢀ(Siliconꢀlimit)

163

180

103ꢀ

I_D

Pulsedꢀdrainꢀcurrentꢀ(T_Cꢀ=ꢀ25°C,ꢀt_pꢀlimitedꢀbyꢀT_jmax

)

I_Dꢀpulse

E_AS(Noteꢀ1)

V_GS

652ꢀ

400ꢀ

Avalancheꢀenergy,ꢀsingleꢀpulseꢀ(L=0.5mH,ꢀRg=25Ω)

GateꢁSourceꢀvoltage

±20

Powerꢀdissipationꢀ(T_Cꢀ=ꢀ25°C)

P_tot

227ꢀ

°C

T_jꢀ,ꢀT _stg

Operatingꢀjunctionꢀandꢀstorageꢀtemperature

ꢁ55...+150

※.ꢀNotes:1.EASꢀisꢀtestedꢀatꢀstartingꢀTjꢀ=ꢀ25℃,ꢀLꢀ=ꢀ0.5mH,ꢀIASꢀ=ꢀ40A.

©China Resources Microelectronics (Chongqing) Limited

Page 1

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

与CRST047N12N相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CRST048N07N	CRMICRO	获取价格	TO-220
CRST048N08N3	CRMICRO	获取价格	TO-220
CRST052N10N3	CRMICRO	获取价格	TO-220
CRST052N15N3Z	CRMICRO	获取价格	TO-220
CRST053N10N	CRMICRO	获取价格	TO-220
CRST055N07N	CRMICRO	获取价格	TO-220
CRST055N08N	CRMICRO	获取价格	TO-220
CRST055N08N3	CRMICRO	获取价格	TO-220
CRST055N09N	CRMICRO	获取价格	TO-220
CRST058N12N	CRMICRO	获取价格	TO-220